B10G2327N55DZ มอสเฟต RF LDMOS

คุณสมบัติที่สำคัญ

• ประสิทธิภาพ RF: ทำงานที่ 2300–2700MHz, ให้พลังงานอิ่มตัว P1dB 43.65W (~46.4dBm) พร้อมเกนทั่วไป ≥30dB, แรงดันไฟฟ้าเดรน 28V (สูงสุด 65V), ประสิทธิภาพการเดรนทั่วไป ≥35.7%, แบนด์วิดท์วิดีโอ >400MHz, ความแบนด์วิดธ์เกน 0.3dB, รองรับหลายผู้ให้บริการและการทำให้เป็นเส้นตรง DPD ด้วย ACPR5M ลงไปถึง -38.5dBc รับประกันความเป็นเส้นตรงที่ดีเยี่ยม
• สถาปัตยกรรม Doherty แบบอสมมาตร: ทรานซิสเตอร์พาหะ/พีคกิ้งแบบอสมมาตรในตัว ตัวแยกอินพุต ตัวรวมเอาต์พุต และเครือข่ายการจับคู่เอาต์พุตที่มีอิมพีแดนซ์เอาต์พุต 30Ω (รวมก่อนการจับคู่) ช่วยขจัดวงจรภายนอกที่ซับซ้อน และลดความซับซ้อนของการออกแบบ PCB และการดีบัก
• การควบคุมและการป้องกันที่ยืดหยุ่น: การควบคุมพาหะและอคติพีคกิ้งอย่างอิสระช่วยให้สามารถปรับกำลังได้อย่างแม่นยำสำหรับข้อกำหนดด้านกำลังและความเป็นเชิงเส้นที่แตกต่างกัน การป้องกัน ESD ในตัว ปัจจัยความเสถียรของ Rollett >1 และค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิอัตราขยายต่ำ 0.05dB/°C ช่วยให้มั่นใจถึงเสถียรภาพทางความร้อนและความน่าเชื่อถือที่ยอดเยี่ยม
• ข้อดีของด้านความร้อนและบรรจุภัณฑ์: ความต้านทานความร้อนจากจุดต่อเคสต่ำช่วยให้กระจายความร้อนได้ดีกว่า รองรับโหมดคลื่นต่อเนื่อง (CW) และโหมดพัลส์ แพ็คเกจ PQFN20 ขนาดกะทัดรัด 7 มม.×7 มม. เหมาะสำหรับการออกแบบโมดูล RF สถานีฐานที่มีพื้นที่จำกัด

การใช้งานทั่วไป

• ไดรเวอร์ RF ของสถานีฐาน 5G NR/LTE แบบหลายแบนด์ความถี่ 2.3–2.7GHz และเครื่องขยายสัญญาณขั้นสุดท้าย
• โมดูลขยายกำลัง Doherty ประสิทธิภาพสูงสำหรับเครื่องส่งสัญญาณ RF ระบบ MIMO ขนาดใหญ่
• ระบบการสื่อสารแบบหลายผู้ให้บริการและโครงสร้างพื้นฐานการสื่อสารไร้สาย RF ฟรอนต์เอนด์
• โซลูชันการขยายกำลังของสถานีฐานมาโครและไมโครขนาดเล็ก 2.3–2.7GHz
• เครื่องทดสอบ RF เอนกประสงค์และการใช้งาน RF ทางอุตสาหกรรม (แถบ ISM)