พลังงานบรอดแบนด์ GaN HEMT

(Total 4 Products)

CLL3H0914LS-700U 700W GaN SiC HEMT

รับราคาล่าสุด

แบรนด์:แอมเพิล
สั่งขั้นต่ำ:1
Model No:CLL3H0914LS-700U

หมายเลขชิ้นส่วน：CLL3H0914LS-700U ผู้ผลิต：แอมเพิน ประเภทอุปกรณ์：L‑band, 700W GaN‑SiC HEMT (ทรานซิสเตอร์การเคลื่อนที่แบบอิเล็กตรอนสูงแกลเลียมไนไตรด์ซิลิคอนคาร์ไบด์), เครือข่ายที่จับคู่ล่วงหน้าภายใน + ความเสถียร, 0.9–1.4 GHz, แพ็คเกจหน้าแปลนแบบไม่มีหู,...

ติดต่อตอนนี้
C4H18W500A มอสเฟต RF 48V

รับราคาล่าสุด

แบรนด์:แอมเพิล
สั่งขั้นต่ำ:1
Model No:C4H18W500AZ C4H18W500AY

หมายเลขชิ้นส่วน：C4H18W500A ผู้ผลิต：แอมเพิน ประเภทอุปกรณ์：GaN (แกลเลียมไนไตรด์) ทรานซิสเตอร์กำลัง Doherty แบบอสมมาตร 1800–2000 MHz กำลังสูงสุด 500 W สำหรับการขยายสัญญาณ RF ขั้นสุดท้ายของสถานีฐานมาโคร 4G/5G โดยเฉพาะ ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญ (Tcase=25°C,...

ติดต่อตอนนี้
GaN HEMT CLL3H0914L-700U AlGaN

รับราคาล่าสุด

แบรนด์:แอมเพิล
สั่งขั้นต่ำ:1
Model No:CLL3H0914L-700U

หมายเลขชิ้นส่วน：CLL3H0914L-700 ผู้ผลิต：แอมเพิน ประเภทอุปกรณ์：L‑band, 700W GaN‑SiC HEMT (ทรานซิสเตอร์การเคลื่อนที่อิเล็กตรอนสูงแกลเลียมไนไตรด์ซิลิคอนคาร์ไบด์) จับคู่ล่วงหน้าภายใน 0.9–1.4 GHz, พัลส์เรดาร์ /...

ติดต่อตอนนี้
C4H18W500A มอสเฟต RF 48V SOT1273

รับราคาล่าสุด

แบรนด์:แอมเพิล
สั่งขั้นต่ำ:1
Model No:C4H18W500A

หมายเลขชิ้นส่วน：C4H18W500A ผู้ผลิต：แอมเพิน ประเภทอุปกรณ์：แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) HEMT, ทรานซิสเตอร์กำลัง RF โดเฮอร์ตี้แบบอสมมาตร 48V การประยุกต์ใช้：เครื่องขยายกำลังขั้นสุดท้ายสำหรับสถานีฐานมาโคร 4G / 5G AAU & RRU, 1800~2000 MHz...

ติดต่อตอนนี้

ขั้นตอนที่ 1

พลังงานบรอดแบนด์ GaN HEMT

พลังงานบรอดแบนด์ GaN HEMT เป็นทรานซิสเตอร์เคลื่อนที่อิเล็กตรอนสูงแกลเลียมไนไตรด์ประสิทธิภาพสูง โดดเด่นด้วยการครอบคลุมความถี่ที่กว้าง กำลังเอาท์พุตที่สูง และประสิทธิภาพการรับเสียงที่ยอดเยี่ยม โดยจะรักษากำลังขับที่เสถียรและลักษณะเชิงเส้นตลอดช่วงบรอดแบนด์เต็มรูปแบบ เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการขยายกำลัง RF แบบหลายแบนด์

กรุณาฝากข้อความถึงเรา

เราจะติดต่อคุณ