BLC10G19XS-601AVTZ มอสเฟต RF LDMOS 30V

ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญ (Tcase=25°C, VDS=30V, สัญญาณ W‑CDMA/5G NR)

• ช่วงความถี่：1.93 GHz ~ 1.995 GHz (ย่านความถี่หลัก 5G เช่น n39/n40)
• แรงดันไฟจ่ายเดรน (VDS)：30 V (ประเภท), สูงสุด 65 V
• กระแสไฟนิ่ง (IDq): 1060 mA (แอมป์หลัก, ประเภท) Ampleon
• กำลังขับเฉลี่ย (PL(AV)):120–125 W (50.8 dBm)
• กำลังขับสูงสุด (PL(M)):630–680 W (ประเภท 650 W)
• กำลังรับ (Gp): 15 dB (ประเภท)
• ประสิทธิภาพการระบายน้ำ (ηD):49 % (ประเภท)
• อัตรากำลังของช่องสัญญาณที่อยู่ติดกัน (ACPR)：−32 dBc (ประเภท, ≤−50 dBc หลังการทำให้เป็นเส้นตรง)
• การสูญเสียการส่งคืนอินพุต (RLin)：-15 dB (ประเภท)
• แพคเกจ：SOT1258-4 (6-lead, หน้าแปลนแบบไม่มีหู, พลาสติกช่องอากาศ)
• ความต้านทานความร้อน (ทางแยกไปยังเคส):0.16–0.18 K/W (ที่การกระจายพลังงาน 120–150W) Ampleon
• คุณสมบัติ：การจับคู่ล่วงหน้าภายใน เอฟเฟกต์หน่วยความจำต่ำ ความทนทานต่อความไม่ตรงกันสูง (VSWR=10:1) ความจุเอาต์พุตต่ำ การป้องกัน ESD ความทนทานสูง

คุณสมบัติที่สำคัญ

• สถาปัตยกรรม Doherty แบบอสมมาตร：เส้นทางคู่หลัก + ยอดสูงสุดแบบบูรณาการ ปรับให้เหมาะสมสำหรับสัญญาณ PAPR สูง 5G สร้างสมดุลประสิทธิภาพสูงและความเป็นเส้นตรงสูง
• ความหนาแน่นของพลังงานสูง: กำลังสูงสุด 650W, อัตราขยาย 15dB, ตอบสนองความต้องการการครอบคลุมพลังงานสูงของสถานีฐานมาโครในย่านความถี่ 1.9GHz;
• การออกแบบเอฟเฟกต์หน่วยความจำต่ำ: ปรับปรุงคุณสมบัติไม่เชิงเส้นให้เหมาะสม ความสามารถในการสร้างเชิงเส้น DPD ที่แข็งแกร่ง เหมาะสำหรับสถานการณ์ 5G หลายผู้ให้บริการและ MIMO ขนาดใหญ่
• ประสิทธิภาพการระบายความร้อนที่ดีเยี่ยม：ความต้านทานความร้อนต่ำเป็นพิเศษ (0.16K/W) เพื่อประสิทธิภาพการกระจายความร้อนสูง รองรับการทำงานพลังงานสูงอย่างต่อเนื่องในระยะยาวAmpleon;
• การจับคู่ล่วงหน้าภายใน：ลดความซับซ้อนของวงจรการจับคู่ภายนอก ลดรอบการออกแบบให้สั้นลง และลดต้นทุน BOM
• ความทนทานสูง：ทนทานต่อ VSWR=10:1 โหลดทุกเฟสไม่ตรงกันและการรบกวนสัญญาณรบกวนบรอดแบนด์เพื่อการทำงานที่มั่นคงในระยะยาว
• เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS: ปราศจากสารตะกั่ว เป็นมิตรกับสิ่งแวดล้อม

การใช้งานทั่วไป

• เครื่องขยายสัญญาณขั้นสุดท้ายของสถานีฐานมาโคร 5G (1.93–1.995 GHz, แบนด์ n39/n40)
• การขยายสัญญาณ RF หลายผู้ให้บริการ 4G LTE/5G NR;
• ช่องส่งสัญญาณสถานีฐาน RF กำลังสูง
• การทดแทน LDMOS รุ่นเก่า (เช่น BLC10G19XS-551AVZ) เพื่อพลังงานและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น

คำจำกัดความหมายเลขชิ้นส่วน

• BLC：B-series, LDMOS, ทรานซิสเตอร์กำลังโดเฮอร์ตี้
• 10G：กระบวนการ LDMOS รุ่นที่ 10 แอปพลิเคชันสถานีฐานทั่วไป
• 19：ย่านความถี่ 1.9GHz (1.93–1.995GHz)
• XS：แพ็คเกจหน้าแปลนแบบไม่มีหู มีความหนาแน่นของพลังงานสูง
• กำลังไฟระดับ 601：600W (สูงสุด 650W)
• AVT：โดเฮอร์ตี้แบบอสมมาตร บรรจุภัณฑ์พลาสติกแบบช่องอากาศ รุ่นมาตรฐาน (Z/Y = ชุด/ส่วนต่อท้ายด้านสิ่งแวดล้อม)