BLC10G19XS-600AVT มอสเฟต RF LDMOS

ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญ

• ผู้ผลิต: แอมเพิล
• หมายเลขชิ้นส่วน: BLC10G19XS-600AVT
• ช่วงความถี่: 1930~1995 MHz (รองรับ 5G NR n1/n3, LTE Band1)
• กำลังขับอิ่มตัวทั่วไป: 600 W (อุปกรณ์เดียว)
• กำลังรับ: โดยทั่วไป 15.5 dB (แหล่งจ่ายไฟ 30 V)
• ประสิทธิภาพการระบายน้ำ: ทั่วไป 50% (โหมดโดเฮอร์ตี้)
• แรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายไฟ: 30 V (แนะนำ 28–32 V)
• กระแสไฟฟ้าดับ: 1,060 mA (เส้นทางหลัก)
• บรรจุภัณฑ์: SOT1258-4 (พลาสติกช่องอากาศ การออกแบบระบายความร้อนกำลังสูง)
• เทคโนโลยี: ซิลิคอน LDMOS รุ่นที่ 10 (GEN10 LDMOS)
• สถานะ: อยู่ระหว่างการผลิต (เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS)

คุณสมบัติ

1. เทคโนโลยี LDMOS เจนเนอเรชัน 10 กำลังสูงพิเศษ 600W พร้อมเส้นทางพาหะ/พีคกิ้งที่ปรับให้เหมาะสมสำหรับการทำงาน Doherty แบบอสมมาตร
2. ความครอบคลุมย่านความถี่กว้าง 1.93G~1.995G รองรับมาตรฐานหลายมาตรฐาน LTE/5G NR สำหรับสถานีฐานมาโคร
3. ความเป็นเชิงเส้นที่ยอดเยี่ยม เอฟเฟกต์หน่วยความจำต่ำ พร้อม DPD สำหรับการสร้างเชิงเส้นที่เหมาะสมที่สุดและ ACPR ที่เหนือกว่า
4. การจับคู่ล่วงหน้าอินพุต/เอาท์พุตแบบรวม เข้ากันได้กับ 50Ω, BOM ขั้นต่ำ, ไม่มีการปรับแต่งที่ซับซ้อน
5. ความต้านทานความร้อนต่ำ เสถียรภาพทางความร้อนที่ดีเยี่ยม ความทนทาน VSWR 10:1 เพื่อความน่าเชื่อถือสูง
6. การป้องกัน ESD ในตัว สอดคล้องตามมาตรฐาน RoHS อุณหภูมิในการทำงาน: -40°C~+125°C

การใช้งาน

• สถานีฐานมาโคร 4G/5G และเครื่องขยายสัญญาณกำลังสูงขั้นสุดท้าย mMIMO
• การขยายสัญญาณ RF กำลังสูงสำหรับโครงสร้างพื้นฐานไร้สาย 1.93–1.995 GHz
• โมดูลเครื่องขยายเสียง Doherty ประสิทธิภาพสูง เครื่องส่งสัญญาณ RF กำลังสูงขนาดกะทัดรัด
• สเตจตัวขับกำลังสูงของสถานีฐาน (ปรีแอมพลิฟายเออร์สำหรับทรานซิสเตอร์ตัวสุดท้าย)