ทรานซิสเตอร์ RF MOSFET BLC10G27XS-400AVTZ

ทรานซิสเตอร์ RF MOSFET BLC10G27XS-400AVTZ

รับราคาล่าสุด

สั่งขั้นต่ำ:

ติดต่อตอนนี้

คำอธิบายผลิตภัณฑ์

คุณสมบัติของผ�...

บรรจุภัณฑ์ และ...

คำอธิบายผลิตภ�...

คุณสมบัติของผ�...

หมายเลขรุ่น: BLC10G27XS-400AVT BLC10G27XS-400AVTZ

แบรนด์: แอมเพิล

บรรจุภัณฑ์ และ...

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

คำอธิบายผลิตภ�...

พาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ LDMOS

รุ่น: BLC10G27XS-400AVT (รุ่นมาตรฐาน: BLC10G27XS-400AVTZ, บรรจุภัณฑ์แบบเทปและม้วน)

ผู้ผลิต: แอมเพิล

ประเภทผลิตภัณฑ์: ทรานซิสเตอร์กำลัง RF โดเฮอร์ตี้แบบอสมมาตรแบบแพ็กเกจ 28V LDMOS รุ่นที่ 9 (ปรับให้เหมาะสมสำหรับแอปพลิเคชันหลายผู้ให้บริการสถานีฐาน 2.496–2.69 GHz)

ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญ

Parameter	Specification
Frequency Range	2496 MHz to 2690 MHz (2.496–2.69 GHz), covering 5G NR n78/n79 and other key bands
Peak Output Power (P1dB)	400 W (Continuous Wave, CW mode), typical 46.0 dBm
Typical Power Gain	13.3 dB (Typical, in Doherty Configuration)
Typical Drain Efficiency	50%+ (Doherty Configuration, Optimized DPD Performance)
Supply Voltage (VDS)	28 V (Standard), Maximum Rated Voltage 65 V
Quiescent Drain Current (IDq)	200 mA (Typical)
Package Type	SOT1258-4 (OMP-780-4F-1), 6-lead air cavity plastic earless flanged package, enhanced thermal dissipation
Special Features	Asymmetric Doherty architecture, integrated ESD protection, low output capacitance, integrated input/output impedance transformation, user-friendly PCB matching to 50-ohm
Linearity Performance	Optimized for high Peak-to-Average Power Ratio (PAPR) 5G NR signals, excellent ACPR performance after DPD correction

คุณสมบัติและคุณประโยชน์

เทคโนโลยี LDMOS รุ่นที่ 9: ใช้กระบวนการ 28V LDMOS รุ่นที่ 9 ที่ได้รับการยอมรับในอุตสาหกรรมของ Ampleon เพื่อสร้างสมดุลระหว่างพลังงานและประสิทธิภาพสูงในช่วงความถี่ 2.496–2.69 GHz ซึ่งเหมาะสำหรับการใช้งานสถานีฐานแบบหลายแบนด์ 5G NR
สถาปัตยกรรม Doherty แบบอสมมาตร: ออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับแอพพลิเคชั่นหลายผู้ให้บริการสถานีฐานพร้อมตัวแยกอินพุตและตัวรวมเอาต์พุตในตัว เพิ่มประสิทธิภาพบรอดแบนด์ให้เหมาะสม และลดความซับซ้อนในการออกแบบระบบ
ประสิทธิภาพ Digital Pre-Distortion (DPD) ที่ยอดเยี่ยม: ปรับให้เหมาะสมสำหรับสัญญาณ 5G NR ช่วยให้เกิดความเป็นเชิงเส้นที่เหนือกว่าหลังการแก้ไข DPD เพื่อให้เป็นไปตามข้อกำหนด Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) ที่เข้มงวดสำหรับสถานีฐาน
ความหนาแน่นของพลังงานสูงพิเศษ: ให้กำลังเอาต์พุตสูงสุด 400 W ในแพ็คเกจขนาดกะทัดรัดพร้อมความหนาแน่นของพลังงานระดับชั้นนำของอุตสาหกรรม ซึ่งช่วยลดขนาดของส่วนหน้า RF ของสถานีฐานได้อย่างมาก และลดต้นทุนของระบบ
การแปลงพลังงานประสิทธิภาพสูง: ประสิทธิภาพการระบายน้ำโดยทั่วไปเกิน 50% ช่วยลดการใช้พลังงานของสถานีฐานได้อย่างมาก และปรับปรุงความน่าเชื่อถือของระบบและความคุ้มค่าในการดำเนินงาน
การออกแบบความจุเอาต์พุตต่ำ: ปรับปรุงการตอบสนองความถี่และประสิทธิภาพในการใช้งานของ Doherty ปรับปรุงความสามารถในการปรับตัวของบรอดแบนด์ และเพิ่มประสิทธิภาพของระบบโดยรวม
การป้องกัน ESD ในตัว: ให้การป้องกันการปล่อยประจุไฟฟ้าสถิตที่ดีเยี่ยม เพิ่มความน่าเชื่อถือและอายุการใช้งานของอุปกรณ์
การแปลงอิมพีแดนซ์ในตัว: เครือข่ายการแปลงอิมพีแดนซ์อินพุตและเอาท์พุตในตัวช่วยให้การจับคู่ PCB กับ 50 โอห์มเป็นเรื่องง่าย ทำให้กระบวนการออกแบบง่ายขึ้น
แพ็คเกจความน่าเชื่อถือสูง: แพ็คเกจหน้าแปลนพลาสติกช่องอากาศนำเสนอการนำความร้อนที่ดีเยี่ยมพร้อมความต้านทานความร้อนต่ำ ช่วยให้มั่นใจได้ถึงการทำงานที่มั่นคงภายใต้สภาวะโหลดสูง
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS: ตรงตามข้อกำหนด RoHS สำหรับการใช้งานในตลาดโลก

การใช้งาน

เครื่องขยายสัญญาณเสียง RF สำหรับสถานีฐานมาโคร/ไมโคร 5G NR (ย่านความถี่ 2.496–2.69 GHz เช่น n78/n79)
โมดูลเครื่องขยายสัญญาณเสียงสถานีฐาน 4G LTE แบบมัลติแบนด์ (2496–2690 MHz)
หน่วยขยายกำลังในระบบ Massive MIMO (mMIMO)
ระบบส่งสัญญาณสื่อสารแบบหลายผู้ให้บริการ (เช่น W-CDMA, LTE-A Pro)
โครงสร้างพื้นฐานการสื่อสารไร้สายบรอดแบนด์ (เช่น C-Band, 5G-Advanced)
Internet of Things ระดับอุตสาหกรรม (IIoT) และระบบการสื่อสารเครือข่ายส่วนตัว (เช่น 5G-อุตสาหกรรม)

สินค้าร้อน