ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้น RF high-Q

ข้อมูลพื้นฐาน

คำอธิบายหมายเลขชิ้นส่วน

• 100A: ซีรีย์ตัวเก็บประจุ Q RF สูงระดับพรีเมียม
• 5R1: ความจุที่กำหนด 5.1 pF
• B: ความคลาดเคลื่อนของความจุไฟฟ้า ±0.1 pF
• W: อิเล็กโทรดมาตรฐานและการกำหนดค่าแพ็คเกจ
• 150: แรงดันไฟฟ้ากระแสตรงพิกัด 150V
• XT: แบบฟอร์มบรรจุภัณฑ์เทปและม้วน

ข้อมูลจำเพาะทางไฟฟ้าและกายภาพ

• ความจุไฟฟ้า: 5.1 pF
• ความคลาดเคลื่อน: ±0.1 pF
• แรงดันไฟฟ้า: 150 VDC
• ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: P90 (+90±20 ppm/°C)
• ขนาดบรรจุภัณฑ์: 0505 (สูงสุด 1.4×1.4×1.45 มม.)
• ปัจจัย Q: มากกว่า 10,000 ที่ 1 MHz
• ลักษณะเฉพาะ: ESR และ ESL ต่ำเป็นพิเศษ
• อุณหภูมิในการทำงาน: -55°C ~ +125°C
• โครงสร้าง: โครงสร้างเซรามิกพอร์ซเลน Hermetic

คุณสมบัติที่สำคัญ

1. ปัจจัย Q ที่สูงมากทำให้สูญเสียสัญญาณน้อยที่สุดสำหรับวงจรความถี่สูง
2. การเหนี่ยวนำและความต้านทานของปรสิตต่ำเป็นพิเศษให้ประสิทธิภาพ RF ที่โดดเด่น
3. เสถียรภาพอุณหภูมิที่ดีเยี่ยม ความจุที่มั่นคงภายใต้การเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิที่กว้าง
4. ความแข็งแรงทางกลสูงและทนต่อความชื้น อายุการใช้งานยาวนาน
5. ค่าพิกัดความเผื่อความจุที่แม่นยำตรงตามข้อกำหนดการจับคู่อิมพีแดนซ์ที่เข้มงวด
6. ความถี่เรโซแนนซ์ตัวเองสูง เหมาะสำหรับการใช้งานไมโครเวฟ GHz

การใช้งานทั่วไป

• วงจรส่วนหน้าของความถี่วิทยุสื่อสาร 5G
• อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์เรดาร์ ดาวเทียม และการบินและอวกาศ
• เครื่องขยายสัญญาณรบกวนต่ำ มิกเซอร์ วงจรออสซิลเลเตอร์
• การกรอง RF, การมีเพศสัมพันธ์, การบล็อก DC และเครือข่ายการจับคู่อิมพีแดนซ์
• เครื่องมือทดสอบและวัดความแม่นยำ
• ระบบอิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูงด้านกลาโหมและอุตสาหกรรม