ตัวเก็บประจุไดอิเล็กตริกเซรามิก ESR, RF/ไมโครเวฟ ต่ำเป็นพิเศษ

ตัวเก็บประจุไดอิเล็กตริกเซรามิก ESR, RF/ไมโครเวฟ ต่ำเป็นพิเศษ

รับราคาล่าสุด

สั่งขั้นต่ำ:

ติดต่อตอนนี้

คำอธิบายผลิตภัณฑ์

คุณสมบัติของผ�...

บรรจุภัณฑ์ และ...

คำอธิบายผลิตภ�...

คุณสมบัติของผ�...

หมายเลขรุ่น: DLC75H(0402)

บรรจุภัณฑ์ และ...

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

คำอธิบายผลิตภ�...

DLC75H คือ ESR Q RF MLCC ต่ำพิเศษ

DLC75H ตัวเก็บประจุไดอิเล็กตริกเซรามิก ESR ต่ำพิเศษ, RF/ไมโครเวฟ

DLC75H(0402)
DLC75H เป็นตัวเก็บประจุเซรามิก ESR RF/ไมโครเวฟที่ต่ำเป็นพิเศษ สร้างขึ้นเพื่อประสิทธิภาพสูงสุด ด้วยค่า Q สูง การจัดการกระแส RF ที่ยอดเยี่ยม และความน่าเชื่อถือที่แข็งแกร่ง จึงเป็นตัวเลือกตัวเก็บประจุสำหรับการออกแบบวงจรความถี่สูงที่สำคัญ การใช้งานครอบคลุมการขยายกำลัง RF การควบคุมอิมพีแดนซ์ และการปรับสภาพสัญญาณทั่วทั้งภาคโทรคมนาคม การบินและอวกาศ และการป้องกัน

ตารางความจุ DLC75H

Capacitance (pF)	Code	Tolerance	Rated Voltage	Capacitance (pF)	Code	Tolerance	Rated Voltage	Capacitance (pF)	Code	Tolerance	Rated Voltage
0.2	0R2	A, B, C, D.	50V / Code 500 200V / Code 201 250V / Code 251	2.0	2R0	A, B, C, D.	50V / Code 500 200V / Code 201 250V / Code 251	10	100	F, G, J.	50V / Code 500 200V / Code 201
0.3	0R3			2.1	2R1			11	110
0.4	0R4			2.2	2R2			12	120
0.5	0R5			2.4	2R4			13	130
0.6	0R6			2.7	2R7			15	150
0.7	0R7			3.0	3R0			16	160
0.8	0R8			3.3	3R3			18	180
0.9	0R9			3.6	3R6		50V / Code 500 200V / Code 201	20	200
1.0	1R0			3.9	3R9			22	220
1.1	1R1			4.3	4R3			24	240
1.2	1R2			4.7	4R7			27	270
1.3	1R3			5.1	5R1			30	300		50V / Code 500
1.4	1R4			5.6	5R6			33	330		50V / Code 500
1.5	1R5			6.2	6R2
1.6	1R6			6.8	6R8	B, C, D.
1.7	1R7			7.5	7R5
1.8	1R8			8.2	8R2
1.9	1R9			9.1	9R1

หมายเลขส่วนประกอบ

ประเภทและขนาดปลาย DLC75H
หน่วย: นิ้ว (มิลลิเมตร)

Termination Code	Type / Outline	Capacitor Dimensions				Terminal Electrode Material
		Length (Lc)	Width (Wc)	Thickness (Tc)	Terminal Size (B)
W		.040 ± .004 (1.02 ± 0.10)	.020 ± .004 (0.51 ± 0.10)	.020 ± .004 (0.51 ± 0.10)	.010 ± .006 (0.25 ± 0.15)	Nickel-plated, Tin-plated RoHS compliant

ประสิทธิภาพทางไฟฟ้า

Item	Specification
Quality Factor (Q)	≥ 2000, measured at 1 ± 0.1 MHz, 1 ± 0.2 Vrms.
Insulation Resistance (IR)	≥ 10⁵ MΩ at 25°C with rated voltage applied. ≥ 10⁴ MΩ at 125°C with rated voltage applied.
Rated Voltage (WVDC)	See capacitance table.
Dielectric Withstanding Voltage (DWV)	Apply 250% of rated voltage for 5 seconds.
Operating Temperature Range	-55°C ~ +125°C (Contact Dalicap Technology Co., Ltd. if higher temperature is required.)
Temperature Coefficient (TC)	0 ± 30 ppm/°C
Capacitance Drift	±0.2% or ±0.05 pF, whichever is greater.
Piezoelectric Effect	None

เส้นโค้งประสิทธิภาพ DLC75H

Ultra-low ESR ceramic dielectric capacitor

บนเส้นโค้งอิมพีแดนซ์อินพุต [Zin] ของตัวเก็บประจุ จะมีจุดเรโซแนนซ์อนุกรมหลายจุด (จุดลดทอนรูปตัว V) ความถี่เรโซแนนซ์อนุกรมแรก FSR คือความถี่ของจุดเรโซแนนซ์อนุกรมต่ำสุด ซึ่งส่วนจินตภาพของอิมพีแดนซ์อินพุตเป็นศูนย์ (m[Zin] = 0) ต่ำกว่า FSR ส่วนจริง Re[Zin] และส่วนจินตภาพ Im[Zin] ของอิมพีแดนซ์อินพุตจะไม่เปลี่ยนแปลงเชิงเส้นตรงตามความถี่ ขนาดของ FSR เกี่ยวข้องกับปัจจัยต่อไปนี้: โครงสร้างของอิเล็กโทรดภายในของตัวเก็บประจุ วัสดุของพื้นผิว ความหนาของวัสดุพิมพ์ ค่าคงที่ไดอิเล็กทริกของวัสดุพิมพ์ ทิศทางการติดตั้งของตัวเก็บประจุบนวัสดุพิมพ์ และขนาดของแผ่นวัสดุพิมพ์

คำจำกัดความและเงื่อนไขการวัด:

คำจำกัดความ: ตัวเก็บประจุเชื่อมต่อแบบอนุกรมกับสายไมโครสตริป กล่าวคือ ตัวเก็บประจุเชื่อมต่อระหว่างปลายทั้งสองของสายไมโครสตริป 50 โอห์มโดยมีช่องว่าง เงื่อนไขการวัด: บอร์ด Ro4350 Rogers ที่มีค่าคงที่ไดอิเล็กตริก 3.48, พื้นผิวถูกติดตั้งในแนวนอนด้วยความหนา 10 มิล, ช่องว่างไมโครสตริปคือ 15 มิล, ความกว้างไมโครสตริปคือ 22 มิล และระนาบอ้างอิงอยู่ที่ขอบของตัวอย่าง

ข้อมูลทั้งหมดได้มาจากแบบจำลองทางไฟฟ้าที่สร้างโดย Modelithics Inc. ซึ่งอิงจากข้อมูลการวัดจำนวนมากบนพื้นผิวที่แตกต่างกัน

สินค้าร้อน