BLM7G1822S-40PBG RF FET LDMOS

คุณสมบัติที่สำคัญ

• ประสิทธิภาพ RF: ทำงานที่ 1805–2170MHz ให้พลังงานอิ่มตัว P1dB 40W (46dBm) พร้อมเกนทั่วไป ≥31.5dB แรงดันเดรน 28V (สูงสุด 65V) ประสิทธิภาพการเดรนทั่วไป ≥26.5% รองรับหลายผู้ให้บริการและการปรับเชิงเส้น DPD ด้วยความเป็นเส้นตรงที่ยอดเยี่ยม
• การบูรณาการสูง: การออกแบบสองส่วนพร้อมเครือข่ายการจับคู่อินพุต/เอาท์พุตในตัว ความต้านทานมาตรฐาน 50Ω ช่วยลดการจับคู่ภายนอกที่ซับซ้อน ทำให้การออกแบบ PCB ง่ายขึ้น วงจรไบแอสชดเชยอุณหภูมิในตัวเพื่อความเสถียรที่เพิ่มขึ้น
• ความน่าเชื่อถือและการป้องกัน: การป้องกัน ESD ในตัว ทนทานต่ออุณหภูมิจุดแยกสูงและโหลดที่ไม่ตรงกัน เสถียรภาพทางความร้อนที่ดีเยี่ยม เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS พินแยกส่วนช่วยเพิ่มประสิทธิภาพแบนด์วิดท์วิดีโอสำหรับแอปพลิเคชันแถบความถี่กว้าง
• ความเข้ากันได้ของการออกแบบ: รองรับโหมดคลื่นต่อเนื่อง (CW) และโหมดพัลส์ เข้ากันได้กับโดเฮอร์ตี้แบบสมมาตร/ไม่สมมาตรและโทโพโลยีวงจรปลายเดี่ยว เหมาะสำหรับไดรเวอร์สถานีฐานย่านความถี่ 1.8GHz/2.1GHz และแอมพลิฟายเออร์ในขั้นตอนสุดท้าย

การใช้งานทั่วไป

• ไดรเวอร์ RF ของสถานีฐาน 4G/5G/เครื่องขยายสัญญาณขั้นสุดท้าย (ย่านความถี่ 1805–2170MHz)
• โมดูลขยายกำลัง Doherty ประสิทธิภาพสูงสำหรับระบบสื่อสาร W-CDMA/LTE ของผู้ให้บริการหลายราย
• เครื่องส่งสัญญาณ RF โครงสร้างพื้นฐานการสื่อสารไร้สาย 1.8–2.17GHz
• เครื่องส่งโทรทัศน์และแอปพลิเคชัน RF ทางอุตสาหกรรม (แถบ ISM)