Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

ภาษาไทย

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
ภาษาไทย
บ้าน> ผลิตภัณฑ์> ทรานซิสเตอร์พลังงาน RF> MMIC โดเฮอร์ตี้ 2 สเตจ> B10G3438N55D B10G3438N55DZ มอสเฟต RF LDMOS
B10G3438N55D B10G3438N55DZ มอสเฟต RF LDMOS
B10G3438N55D B10G3438N55DZ มอสเฟต RF LDMOS
B10G3438N55D B10G3438N55DZ มอสเฟต RF LDMOS
B10G3438N55D B10G3438N55DZ มอสเฟต RF LDMOS
B10G3438N55D B10G3438N55DZ มอสเฟต RF LDMOS
B10G3438N55D B10G3438N55DZ มอสเฟต RF LDMOS
B10G3438N55D B10G3438N55DZ มอสเฟต RF LDMOS

B10G3438N55D B10G3438N55DZ มอสเฟต RF LDMOS

รับราคาล่าสุด
สั่งขั้นต่ำ:1
คุณสมบัติของผ...

หมายเลขรุ่นB10G3438N55D B10G3438N55DZ

แบรนด์แอมเพิล

บรรจุภัณฑ์ และ...

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

คำอธิบายผลิตภ...
MMIC โดเฮอร์ตี้ 2 สเตจ
รุ่น: B10G3438N55D
ผู้ผลิต: แอมเพิล
ประเภทผลิตภัณฑ์: พาวเวอร์แอมพลิฟายเออร์ 50V LDMOS เจนเนอเรชั่น 10 3-stage Asymmetrical Doherty MMIC RF Power Amplifier ที่ผสานรวมอย่างสมบูรณ์ ปรับแต่งมาสำหรับแบนด์ 3.4–3.8GHz (ครอบคลุมแบนด์หลัก 5G NR n78 และแบนด์ความถี่สูง 4G TDD-LTE) เซลล์ขนาดเล็กและแอปพลิเคชัน MIMO ขนาดใหญ่ บรรลุความสมดุลที่สมบูรณ์แบบระหว่างพลังงานสูง ประสิทธิภาพ และความเชิงเส้นด้วยเทคโนโลยี GEN10 LDMOS ขั้นสูงAmpleon

ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญ

Parameter Specification
Frequency Range 3400 MHz ~ 3800 MHz (Precisely covers 5G NR n78 core band, compatible with 4G TDD-LTE 3.5GHz band)
Output Power at 3dB Compression 47.4dBm (55W CW, at 50V supply, 3600MHz, pulsed CW measurement)
Typical Power Gain 33.7 dB (at 50V supply, 47dBm output, 3600MHz, CW signal)
Typical Drain Efficiency 37.3% (at PL=7.94W/39dBm, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=7.2dB, 3600MHz)
Saturated Drain Efficiency 42% (at PL=PL(3dB), 3600MHz)
Supply Voltage 48V/50V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 100V
Quiescent Current 120 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.5V)
Package Type PQFN-7x7-20, 7×7mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad, 20 terminals
Port Characteristics Internally pre-matched to 50Ω input/output, simplifying RF PCB design and reducing external components
Architecture 3-stage fully integrated asymmetrical Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stages
Operating Temperature -40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)
Thermal Resistance Junction-to-case thermal resistance as low as 3.2 K/W (typical value, at PL=55W)
Load Mismatch Tolerance Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 50V supply, 3400MHz, CW signal), improving system robustness
Gain Flatness Only 2.8dB within 3400-3800MHz band, suitable for ultra-broadband communication systems
ESD Protection CDM Class C3 (1000V), HBM Class 2 (2000V), enhancing device reliability
Stability Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.15GHz to 5GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire band

คุณสมบัติและคุณประโยชน์

  • ใช้กระบวนการขั้นสูง GEN10 LDMOS รุ่นที่ 10 ของ Ampleon ทำให้เกิดความสมดุลระหว่างกำลังเอาต์พุตสูง 55W และประสิทธิภาพสูง 37.3% เหมาะสำหรับสัญญาณมอดูเลต PAPR สูง 5G (PAR=7.2dB) ตรงตามข้อกำหนดเชิงเส้นที่เข้มงวดสำหรับเซลล์ขนาดเล็กและระบบ MIMO ขนาดใหญ่Ampleon
  • สถาปัตยกรรม Doherty แบบอสมมาตรแบบ 3 ขั้นตอนที่บูรณาการอย่างเต็มที่ที่ได้รับการปรับปรุงให้ความสามารถในการแก้ไข Digital Pre-Distortion (DPD) ที่ยอดเยี่ยม ทำให้มั่นใจได้ว่า Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) ที่โดดเด่นต่ำถึง -35dBc หลังจาก DPD เป็นไปตามข้อกำหนดเชิงเส้นที่เข้มงวดของ 5G NR และรองรับแอปพลิเคชัน Multi-carrier aggregation (CA)
  • การออกแบบที่บูรณาการโดยสมบูรณ์ (ตัวแยกสัญญาณในตัว ตัวรวมสัญญาณ เครือข่ายการจับคู่ล่วงหน้า 50Ω และขั้นตอนไดรเวอร์) ช่วยให้การออกแบบ RF PCB ง่ายขึ้นอย่างมาก ลดการนับส่วนประกอบภายนอก เร่งเวลาในการนำเซลล์ขนาดเล็กออกสู่ตลาด และลดต้นทุนของระบบและการยึดครองพื้นที่Ampleon
  • การควบคุมพาหะและอคติพีคกิ้งที่เป็นอิสระช่วยให้เพิ่มประสิทธิภาพความเป็นเชิงเส้นและประสิทธิภาพได้อย่างยืดหยุ่นภายใต้สภาวะการทำงานที่แตกต่างกัน เหมาะสำหรับระบบการสื่อสารหลายมาตรฐาน (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR) รองรับการปรับกำลังแบบไดนามิกและปรับปรุงประสิทธิภาพการใช้พลังงานของระบบ
  • ความทนทานต่อการไม่ตรงกันของโหลดที่ดีเยี่ยม สามารถทนต่อ VSWR=10:1 ตลอดทุกเฟส ปรับปรุงความทนทานของระบบในสภาพแวดล้อมที่ซับซ้อน ลดต้นทุนการบำรุงรักษาสถานีฐาน และยืดอายุการใช้งานของอุปกรณ์
  • ความเรียบของเกนที่กว้างเป็นพิเศษ (เพียง 2.8dB ภายในย่านความถี่ 3400-3800MHz) เหมาะสำหรับระบบการสื่อสารบรอดแบนด์พิเศษ ลดความจำเป็นในการใช้วงจรปรับสมดุลภายนอก และปรับปรุงความน่าเชื่อถือของระบบและความยืดหยุ่นในการออกแบบ
  • วงจรป้องกัน ESD ในตัว (CDM 1000V, HBM 2000V) ช่วยเพิ่มความน่าเชื่อถือของอุปกรณ์ระหว่างการผลิตและการใช้งาน ลดความเสี่ยงของความเสียหายจากไฟฟ้าสถิต เพิ่มผลผลิต และปรับให้เข้ากับการผลิตอัตโนมัติขนาดใหญ่
  • แพ็คเกจ PQFN ที่ได้รับการปรับปรุงด้านความร้อนพร้อมความต้านทานความร้อนแบบแยกต่อเคสต่ำเพียง 3.2 K/W ปรับปรุงประสิทธิภาพการกระจายความร้อนอย่างมีประสิทธิภาพ รองรับการออกแบบความหนาแน่นของพลังงานที่สูงขึ้น ปรับให้เข้ากับความต้องการระบายความร้อนในพื้นที่ขนาดกะทัดรัดของเซลล์ขนาดเล็ก และยืดอายุการใช้งานของอุปกรณ์
  • รองรับแอปพลิเคชัน Video BandWidth (VBW) กว้างพิเศษ เหมาะสำหรับระบบเซลล์ขนาดเล็กรุ่นต่อไปที่รองรับสัญญาณย่านความถี่กว้าง ตอบสนองความต้องการการพัฒนาเครือข่าย 5G ในอนาคต (เช่น 5G-ขั้นสูง) และปกป้องการลงทุนของลูกค้า
  • เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS เหมาะสำหรับการสร้างและปรับใช้โครงสร้างพื้นฐานการสื่อสาร 5G ทั่วโลก ซึ่งมีส่วนช่วยในการพัฒนาการสื่อสารที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อมและลดการปล่อยก๊าซคาร์บอนไดออกไซด์

การใช้งาน

  • ยูนิตขยายสัญญาณ RF ขั้นตอนสุดท้ายสำหรับสถานีฐานเซลล์ขนาดเล็ก 5G NR n78 แบนด์ (3.4-3.8GHz) รองรับความต้องการพลังงานสูงและความเป็นเส้นตรงสูง เหมาะสำหรับสถานการณ์ครอบคลุมในเมืองและชานเมืองAmpleon
  • โมดูลส่วนหน้า RF สำหรับสถานีฐาน MIMO ขนาดใหญ่ (mMIMO) รองรับความหนาแน่นของพลังงานสูงและความต้องการประสิทธิภาพสูง ลดการใช้พลังงานของสถานีฐาน และปรับให้เข้ากับการออกแบบอาเรย์เสาอากาศหลายตัวAmpleon
  • อัปเกรดและปรับปรุงโครงการสำหรับสถานีฐานย่านความถี่ 3.5GHz TDD-LTE 4G ปรับปรุงความครอบคลุมและความจุของเครือข่าย รองรับการเปลี่ยนไปใช้เครือข่าย 5G ได้อย่างราบรื่น
  • เพาเวอร์แอมป์ขั้นตอนสุดท้ายสำหรับระบบการสื่อสารแบบ Multi-Carrier Aggregation (CA) ตอบสนองความต้องการสัญญาณบรอดแบนด์พิเศษ เพิ่มความจุของระบบ และรองรับแอปพลิเคชันที่มีแบนด์วิธสูง เช่น วิดีโอ HD และการเล่นเกมบนคลาวด์
  • ระบบส่งสัญญาณ RF สำหรับการสื่อสารเครือข่ายส่วนตัวและ Internet of Things ระดับอุตสาหกรรม (IIoT) ต้องการแอปพลิเคชันบรอดแบนด์และความน่าเชื่อถือสูง รองรับการปรับใช้สภาพแวดล้อมระดับอุตสาหกรรม เช่น การผลิตอัจฉริยะและกริดอัจฉริยะ
  • โมดูลขยายกำลังสำหรับอุปกรณ์สื่อสารที่รองรับหลายมาตรฐาน (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR) ช่วยลดต้นทุนการพัฒนาอุปกรณ์ เร่งเวลาออกสู่ตลาด และปรับให้เข้ากับความต้องการอยู่ร่วมกันของเครือข่ายหลายมาตรฐานของผู้ปฏิบัติงาน
  • โครงการอัปเกรดและปรับปรุงโครงสร้างพื้นฐานการสื่อสารไร้สาย โดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานเครือข่าย 5G ความถี่สูง ช่วยให้ผู้ให้บริการปรับใช้เครือข่าย 5G ได้อย่างรวดเร็ว ปรับปรุงประสบการณ์ผู้ใช้ และตอบสนองความต้องการของการพัฒนาเศรษฐกิจดิจิทัล
ส่งคำถาม
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

ส่ง