BLC9H10XS-60P มอสเฟต RF LDMOS 50V SOT1273

ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญ (Tcase=25°C, VDS=48V, 940MHz, class‑AB)

• ช่วงความถี่: 400 เมกะเฮิรตซ์ ~ 1,000 เมกะเฮิรตซ์
• แรงดันไฟจ่ายเดรน (VDS)：48 V (ประเภท), สูงสุด 105 VAmpleon
• กระแสไฟนิ่ง (IDq):110 mA (ประเภท)Ampleon
• P1dB พลังขับเสียง：60 W (47.8 dBm, ประเภท)
• กำลังรับพลังงาน：16.1 dB (ประเภท)
• ประสิทธิภาพการระบายน้ำ：11.9 % (ประเภท, คลาส ‑ AB, 1 ผู้ให้บริการ)
• ความเป็นเชิงเส้น (ACPR):-38 dBc (ประเภท)
• แพ็คเกจ：SOT1273-1 (สาย 4 เส้น, แพ็คเกจหน้าแปลนไร้สารตะกั่ว, การกระจายความร้อนสูง)
• ความต้านทานความร้อน (ทางแยกไปยังเคส):2.8 K/W
• คุณสมบัติ：การจับคู่ภายใน, การป้องกัน ESD, ความเสถียรของบรอดแบนด์, ความทนทานต่อความไม่ตรงกันสูง (VSWR=10:1)Ampleon

คุณสมบัติที่สำคัญ

• สถาปัตยกรรม LDMOS + รุ่นที่ 9: อัตราขยายสูง ความเป็นเส้นตรง และความเสถียรของบรอดแบนด์สำหรับสัญญาณหลายผู้ให้บริการ PAR สูง
• การครอบคลุมย่านความถี่กว้างพิเศษ 400–1000 MHz สำหรับ 4G LTE, 5G NR, 3G W‑CDMA, แบนด์ส่วนตัว/ISM;
• การออกแบบเสาคู่แบบสมมาตรรองรับโทโพโลยีแบบปลายเดี่ยว / แบบกดดึง / บริดจ์เพื่อความยืดหยุ่นสูง
• การจับคู่อินพุตล่วงหน้าภายในช่วยลดความซับซ้อนของวงจรภายนอกและลดรอบการออกแบบให้สั้นลง
• การป้องกัน ESD ในตัว + ความทนทานสูง ทนทานต่อโหลดที่ไม่ตรงกัน (VSWR=10:1) เพื่อความน่าเชื่อถือสูง
• แพ็คเกจสีเขียวไร้สารตะกั่ว (PY) เป็นไปตาม RoHS พร้อมประสิทธิภาพการระบายความร้อนที่ดีเยี่ยมAmpleon

การใช้งานทั่วไป

• ไดรเวอร์สถานีฐานมาโคร Sub-1GHz (400–1000 MHz) (สำหรับทรานซิสเตอร์ Doherty 350W/500W เช่น BLC9H10XS-350A/500A)
• แอมพลิฟายเออร์เซลล์ขนาดกลาง/ขนาดเล็กขั้นสุดท้าย 4G/5G (สถานการณ์เชิงเส้น 60W)
• ไร้สายส่วนตัว, ความปลอดภัยสาธารณะ, เครื่องส่งสัญญาณ RF วง ISM 50–60W;
• พรีแอมพลิฟายเออร์/สเตจไดรเวอร์ของเครื่องส่งสัญญาณกำลังสูงแบบหลายช่องสัญญาณ

คำจำกัดความหมายเลขชิ้นส่วน

• BLC：LDMOS กำลังแบบสมมาตร
• 9：กระบวนการ LDMOS รุ่นที่ 9
• H10：ย่านความถี่ 400–1000 MHz
• XS：รุ่นสมมาตรมาตรฐาน
• อัตรากำลัง 60：60W (P1dB)
• P：แพ็คเกจยึดความร้อนแบบหน้าแปลน
• Y：รุ่นสีเขียวไร้สารตะกั่ว