BLC9G21LS-60AVZ มอสเฟต RF LDMOS

คุณสมบัติที่สำคัญ

• ประสิทธิภาพ RF: ทำงานที่ 1805–2200MHz ให้กำลังเอาต์พุตทั่วไป 60W (47.8dBm) พร้อมเกนทั่วไป ≥17.5dB, แรงดันไฟฟ้าเดรน 28V (สูงสุด 65V), ประสิทธิภาพการเดรนทั่วไป ≥30% รองรับหลายผู้ให้บริการและการทำให้เป็นเส้นตรง DPD เหมาะสำหรับข้อกำหนดเชิงเส้นที่เข้มงวดของสถานีฐาน 4G/5G
• โครงสร้างและแพ็คเกจ: การกำหนดค่าแหล่งที่มาร่วมของทรานซิสเตอร์คู่, แพ็คเกจเมาท์ฐาน SOT1275-1 (DFM-6) พร้อมประสิทธิภาพการระบายความร้อนที่ยอดเยี่ยมสำหรับการออกแบบที่มีความหนาแน่นของพลังงานสูง เครือข่ายการจับคู่อินพุตแบบรวมทำให้วงจรภายนอกง่ายขึ้น
• ความน่าเชื่อถือและการป้องกัน: การป้องกัน ESD ในตัว ทนทานต่ออุณหภูมิทางแยกสูงและโหลดที่ไม่ตรงกัน พินแยกส่วนช่วยเพิ่มประสิทธิภาพแบนด์วิดท์วิดีโอ เสถียรภาพทางความร้อนที่ดีเยี่ยม เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
• ความเข้ากันได้ของการออกแบบ: รองรับโหมดคลื่นต่อเนื่อง (CW) และโหมดพัลส์ เข้ากันได้กับวงจรโดเฮอร์ตี้แบบสมมาตร/ไม่สมมาตรและโทโพโลยีปลายเดียว เหมาะสำหรับไดรเวอร์สถานีฐานย่านความถี่ 1.8GHz/2.1GHz/2.2GHz และแอมพลิฟายเออร์ในขั้นตอนสุดท้าย

การใช้งานทั่วไป

• ไดรเวอร์ RF ของสถานีฐาน 4G/5G/เครื่องขยายสัญญาณขั้นสุดท้าย (ย่านความถี่ 1805–2200MHz)
• โมดูลขยายกำลัง Doherty ประสิทธิภาพสูงสำหรับระบบสื่อสาร W-CDMA/LTE/5G NR ของผู้ให้บริการหลายราย
• เครื่องส่งสัญญาณ RF โครงสร้างพื้นฐานการสื่อสารไร้สาย 1.8–2.2GHz
• เครื่องส่งโทรทัศน์และแอปพลิเคชัน RF ทางอุตสาหกรรม (แถบ ISM)