BLM8D1822S-50PBG มอสเฟต RF LDMOS

คุณสมบัติที่สำคัญ

• ประสิทธิภาพ RF: ทำงานที่ 1805–2170MHz ให้พลังงานอิ่มตัว P1dB 50W (47dBm) พร้อมอัตราขยาย ≥28dB แรงดันเดรน 28V ประสิทธิภาพทั่วไป ≥45% รองรับหลายผู้ให้บริการและการปรับเชิงเส้น DPD ด้วยความเป็นเส้นตรงที่ยอดเยี่ยม
• การบูรณาการสูง: รวมทรานซิสเตอร์พาหะ/พีค ตัวแยกกำลังอินพุต ตัวรวมกำลังเอาต์พุต และวงจรไบแอสเข้าด้วยกันอย่างสมบูรณ์ ช่วยให้ฟังก์ชัน Doherty สมบูรณ์ในชิปตัวเดียว และทำให้การออกแบบภายนอกง่ายขึ้น
• อคติและการป้องกัน: อคติชดเชยอุณหภูมิแบบบูรณาการพร้อมตัวพาอิสระ/การควบคุมอคติสูงสุด การป้องกัน ESD ในตัว เสถียรภาพทางความร้อนที่ดีเยี่ยม และความทนทานต่อโหลดที่ไม่ตรงกันเพื่อความน่าเชื่อถือสูง
• ง่ายต่อการออกแบบ: อิมพีแดนซ์อินพุต/เอาท์พุต 50Ω ช่วยลดการจับคู่ที่ซับซ้อน แพ็คเกจที่เข้ากันได้กับการประกอบอัตโนมัติสำหรับการผลิตจำนวนมาก เหมาะสำหรับเซลล์ขนาดเล็กและการออกแบบ PA ขนาดกะทัดรัด

การใช้งานทั่วไป

• เครื่องขยายสัญญาณขั้นสุดท้ายสำหรับเซลล์ขนาดเล็ก 4G/5G (แบนด์ 1.8–2.17GHz)
• แอมพลิฟายเออร์ไดรเวอร์โครงสร้างพื้นฐานไร้สาย 1805–2170MHz
• เครื่องส่งสัญญาณการสื่อสารหลายผู้ให้บริการเชิงเส้นตรงประสิทธิภาพสูง
• โมดูลเครื่องขยายสัญญาณเสียง RF ขนาดกะทัดรัด (แถบอุตสาหกรรม/ISM)