BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ เครื่องขยายเสียง RF

BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ เครื่องขยายเสียง RF

รับราคาล่าสุด

สั่งขั้นต่ำ:

ติดต่อตอนนี้

คำอธิบายผลิตภัณฑ์

คุณสมบัติของผ�...

บรรจุภัณฑ์ และ...

คำอธิบายผลิตภ�...

คุณสมบัติของผ�...

หมายเลขรุ่น: BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ

แบรนด์: แอมเพิล

บรรจุภัณฑ์ และ...

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

คำอธิบายผลิตภ�...

BLM9D3842-16AM LDMOS MMIC แบบรวม 3 ขั้นตอนของ Doherty

รุ่น: BLM9D3842-16AMZ

ผู้ผลิต: แอมเพิล

ประเภทผลิตภัณฑ์: พาวเวอร์แอมพลิฟายเออร์ Doherty MMIC RF แบบรวม 3 ขั้นตอน 28V รุ่นที่ 9 ปรับแต่งมาสำหรับแบนด์ 3.8–4.2GHz (ครอบคลุมแบนด์หลักความถี่สูง 5G NR n77) เซลล์ขนาดเล็กและแอปพลิเคชันไดรเวอร์อเนกประสงค์ บรรลุความสมดุลที่สมบูรณ์แบบระหว่างการบูรณาการในระดับสูงและประสิทธิภาพด้วยเทคโนโลยี LDMOS ขั้นสูงAmpleon

ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญ

Parameter	Specification
Frequency Range	3800 MHz ~ 4200 MHz (Precisely covers 5G NR n77 high-frequency core band)Ampleon
Peak Output Power	16W Continuous Wave (CW), in Doherty Configuration (42dBm typical, at 28V supply, pulsed CW measurement)Ampleon
Typical Power Gain	30.2 dB (at 28V supply, 32dBm average output power, 4000MHz, 1-carrier W-CDMA signal)Ampleon
Typical Drain Efficiency	28.5% (at 10dB OBO, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=7.2dB, 4000MHz)Ampleon
Supply Voltage	26V/28V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 65VAmpleon
Quiescent Current	38 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.5V)Ampleon
Package Type	LGA-7x7-20-2, 7×7mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad, 20 terminalsAmpleon
Port Characteristics	Internally matched to 50Ω input/output, no external matching required, simplifying RF PCB designAmpleon
Architecture	3-stage fully integrated Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stagesAmpleon
Operating Temperature	-40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 175°C)Ampleon
Thermal Resistance	Junction-to-case thermal resistance as low as 10.76 K/W (at PL=0.8W, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=7.2dB)Ampleon
Load Mismatch Tolerance	Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 28V supply, 3800MHz, CW signal), improving system robustnessAmpleon
Gain Flatness	Only 2.7dB within 3800-4200MHz band, suitable for ultra-broadband communication systemsAmpleon
ESD Protection	CDM Class C3 (1000V), HBM Class 2 (2000V), enhancing device reliabilityAmpleon
Stability	Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.15GHz to 5GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire bandAmpleon

คุณสมบัติและคุณประโยชน์

ใช้กระบวนการขั้นสูง LDMOS รุ่นที่ 9 ของ Ampleon ทำให้เกิดความสมดุลระหว่างกำลังเอาต์พุตสูง 16W และประสิทธิภาพสูง 28.5% เหมาะสำหรับสัญญาณมอดูเลต PAPR สูง 5G (PAR=7.2dB)Ampleon
สถาปัตยกรรม Doherty แบบบูรณาการเต็มรูปแบบ 3 ขั้นตอนที่ได้รับการปรับปรุงให้ความสามารถในการแก้ไข Digital Pre-Distortion (DPD) ที่ยอดเยี่ยม ทำให้มั่นใจได้ว่า Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) ที่โดดเด่นต่ำถึง -34.8dBc ซึ่งตรงตามข้อกำหนดเชิงเส้นที่เข้มงวดสำหรับสถานีฐานเซลล์ขนาดเล็ก 5GAmpleon
การออกแบบที่ครบวงจรอย่างสมบูรณ์ (ตัวแยกสัญญาณในตัว ตัวรวมสัญญาณ เครือข่ายที่ตรงกัน 50Ω และระยะไดรเวอร์) ช่วยให้การออกแบบ RF PCB ง่ายขึ้นอย่างมาก ช่วยเร่งเวลาในการนำเซลล์ขนาดเล็กออกสู่ตลาด และลดต้นทุนของระบบAmpleon
การควบคุมพาหะและอคติพีคกิ้งอย่างอิสระช่วยให้ปรับความเป็นเชิงเส้นและประสิทธิภาพได้อย่างยืดหยุ่นภายใต้สภาวะการทำงานที่แตกต่างกัน เหมาะสำหรับระบบการสื่อสารหลายมาตรฐาน (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR)Ampleon
ความทนทานต่อการไม่ตรงกันของโหลดที่ดีเยี่ยม สามารถทนต่อ VSWR=10:1 ตลอดทุกระยะ ปรับปรุงความทนทานของระบบในสภาพแวดล้อมที่ซับซ้อน และลดต้นทุนการบำรุงรักษาสถานีฐานAmpleon
ความเรียบของเกนที่กว้างเป็นพิเศษ (เพียง 2.7dB ภายในย่านความถี่ 3800-4200MHz) เหมาะสำหรับระบบการสื่อสารบรอดแบนด์พิเศษ ลดความจำเป็นในการใช้วงจรปรับสมดุลภายนอก และปรับปรุงความน่าเชื่อถือของระบบAmpleon
วงจรป้องกัน ESD ในตัว (CDM 1000V, HBM 2000V) ช่วยเพิ่มความน่าเชื่อถือของอุปกรณ์ระหว่างการผลิตและการใช้งาน ลดความเสี่ยงที่จะเกิดความเสียหายจากไฟฟ้าสถิต และปรับปรุงผลผลิตAmpleon
แพ็คเกจ LGA ที่ได้รับการปรับปรุงด้านความร้อนพร้อมความต้านทานความร้อนแบบแยกต่อเคสต่ำเพียง 10.76 K/W ปรับปรุงประสิทธิภาพการกระจายความร้อนอย่างมีประสิทธิภาพ ยืดอายุการใช้งานของอุปกรณ์ และรองรับการออกแบบความหนาแน่นของพลังงานที่สูงขึ้นAmpleon
รองรับแอปพลิเคชัน Video BandWidth (VBW) กว้างพิเศษ เหมาะสำหรับระบบเซลล์ขนาดเล็กรุ่นถัดไปที่รองรับสัญญาณย่านความถี่กว้าง ตอบสนองความต้องการวิวัฒนาการเครือข่าย 5G ในอนาคตAmpleon
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS เหมาะสำหรับการสร้างและปรับใช้โครงสร้างพื้นฐานการสื่อสาร 5G ทั่วโลก ซึ่งมีส่วนช่วยในการพัฒนาการสื่อสารสีเขียวAmpleon

การใช้งาน

ยูนิตขยายกำลังขั้นสุดท้าย RF สำหรับสถานีฐานเซลล์ขนาดเล็กย่านความถี่ 5G NR n77 (3.8-4.2GHz) รองรับความต้องการพลังงานสูงและความเป็นเส้นตรงสูงAmpleon
ไดร์เวอร์แอมพลิฟายเออร์อเนกประสงค์สำหรับระบบสื่อสาร Multi-Carrier Aggregation (CA) ตอบสนองข้อกำหนดสัญญาณบรอดแบนด์พิเศษและเพิ่มความจุของระบบAmpleon
โมดูลส่วนหน้า RF สำหรับสถานีฐานเซลล์ขนาดเล็ก MIMO (mMIMO) ขนาดใหญ่ รองรับความหนาแน่นของพลังงานสูงและความต้องการประสิทธิภาพสูง ลดการใช้พลังงานของสถานีฐานAmpleon
อัปเกรดและปรับปรุงโครงการสำหรับสถานีฐานที่พัฒนาแล้วของ 4G LTE ซึ่งเหมาะสำหรับการปรับใช้แบนด์ความถี่ 3.8-4.2GHz ปรับปรุงความครอบคลุมและความจุของเครือข่ายAmpleon
ระบบส่งสัญญาณ RF สำหรับการสื่อสารเครือข่ายส่วนตัวและ Internet of Things ระดับอุตสาหกรรม (IIoT) ซึ่งต้องการแอปพลิเคชันบรอดแบนด์และความน่าเชื่อถือสูง รองรับการปรับใช้สภาพแวดล้อมระดับอุตสาหกรรมAmpleon
โมดูลขยายกำลังสำหรับอุปกรณ์สื่อสารที่รองรับหลายมาตรฐาน (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR) ช่วยลดต้นทุนในการพัฒนาอุปกรณ์ และเร่งเวลาออกสู่ตลาดAmpleon
โครงการอัปเกรดและปรับปรุงโครงสร้างพื้นฐานการสื่อสารไร้สาย โดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานเครือข่าย 5G ความถี่สูง ช่วยให้ผู้ให้บริการปรับใช้เครือข่าย 5G ได้อย่างรวดเร็วและปรับปรุงประสบการณ์ผู้ใช้Ampleon

สินค้าร้อน