BLC8G21LS-160AVZ มอสเฟต RF LDMOS

คุณสมบัติที่สำคัญ

• ประสิทธิภาพ RF: ทำงานที่ 1805–2025MHz ให้กำลังเอาต์พุตทั่วไป 160W พร้อมอัตราขยายทั่วไป ≥15dB, แรงดันไฟฟ้าเดรน 65V (แรงดันทดสอบ 28V) รองรับหลายผู้ให้บริการและการปรับเชิงเส้น DPD เหมาะสำหรับข้อกำหนดเชิงเส้นที่เข้มงวดของสถานีฐาน 4G/5G
• โครงสร้างและแพ็คเกจ: การกำหนดค่าแหล่งที่มาร่วมของทรานซิสเตอร์คู่, แพ็คเกจเมาท์ฐาน SOT1275-1 (DFM-6) พร้อมประสิทธิภาพการระบายความร้อนที่ยอดเยี่ยมสำหรับการออกแบบที่มีความหนาแน่นของพลังงานสูง เครือข่ายการจับคู่อินพุตแบบรวมทำให้วงจรภายนอกง่ายขึ้น
• ความน่าเชื่อถือและการป้องกัน: การป้องกัน ESD ในตัว ทนทานต่ออุณหภูมิทางแยกสูงและโหลดที่ไม่ตรงกัน พินแยกส่วนช่วยเพิ่มประสิทธิภาพแบนด์วิดท์วิดีโอ เสถียรภาพทางความร้อนที่ดีเยี่ยม เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
• ความเข้ากันได้ของการออกแบบ: รองรับโหมดคลื่นต่อเนื่อง (CW) และโหมดพัลส์ เข้ากันได้กับวงจรโดเฮอร์ตี้แบบสมมาตร/ไม่สมมาตร เหมาะสำหรับเครื่องขยายสัญญาณขั้นสุดท้ายของสถานีฐานย่านความถี่ 1.8GHz/2.1GHz

การใช้งานทั่วไป

• เครื่องขยายสัญญาณ RF ขั้นสุดท้ายของสถานีฐาน 4G/5G (ย่านความถี่ 1805–2025MHz)
• โมดูลขยายกำลัง Doherty ประสิทธิภาพสูงสำหรับระบบสื่อสารที่มีผู้ให้บริการหลายราย
• โครงสร้างพื้นฐานการสื่อสารไร้สายย่านความถี่ 1.8GHz/2.0GHz
• เครื่องส่งโทรทัศน์และการใช้งาน RF ทางอุตสาหกรรม