ทรานซิสเตอร์ RF MOSFET BLM10D1822-61ABG

ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญ

• ช่วงความถี่：1800 – 2200 MHz
• แรงดันไฟฟ้า：28 V (ประเภท)
• กำลังขับสูงสุด：75~83 W
• กำลังรับพลังงาน：31 dB (ประเภท)
• ประสิทธิภาพการระบายน้ำ：47% (ประเภท)
• สถาปัตยกรรม：ช่องสัญญาณอิสระคู่, การขยายเสียง 2 ระดับ, การจับคู่ล่วงหน้าบนชิป
• แพ็คเกจ：แพ็คเกจ SMT ปีกนก 16 พินพร้อมแผ่นความร้อน
• ความทนทาน：ความทนทานต่อโหลดไม่ตรงกัน VSWR 10:1, รองรับ DPD

คุณสมบัติ

1. ใช้กระบวนการ LDMOS รุ่นที่ 10 ซึ่งให้อัตราขยายสูงและความเป็นเชิงเส้นที่เหนือกว่าสำหรับสัญญาณหลายผู้ให้บริการ PAPR 5G NR และ LTE สูง
2. ครอบคลุมย่านความถี่กว้างตั้งแต่ 1800 ถึง 2200 MHz รองรับคลื่นความถี่เซลลูล่าร์หลักทั่วโลก
3. ช่องสัญญาณสมมาตรคู่อิสระ เหมาะสำหรับการออกแบบไดรเวอร์แบบผลักดึง การรวม เฟืองท้าย และโดเฮอร์ตี้
4. เครือข่ายการจับคู่ล่วงหน้าอินพุตและเอาต์พุต 50Ω ในตัว ลดส่วนประกอบ RF ภายนอกให้เหลือน้อยที่สุด และลดต้นทุนการออกแบบ
5. เอฟเฟกต์หน่วยความจำต่ำช่วยให้มั่นใจถึงประสิทธิภาพเชิงเส้นที่ยอดเยี่ยมด้วยอัลกอริธึม DPD
6. แพคเกจ SMT ปีกนกช่วยให้สามารถผลิตได้จำนวนมาก ประสิทธิภาพการระบายความร้อนที่ดี และการรวม mMIMO ความหนาแน่นสูง
7. อคติชดเชยอุณหภูมิในตัวและการป้องกัน ESD ช่วยให้มั่นใจถึงการทำงานที่เสถียรในระยะยาว

การใช้งานทั่วไป

• เครื่องขยายสัญญาณไดรเวอร์ RF สำหรับสถานีฐานมาโคร 5G AAU/RRU (1.8G–2.2G)
• ส่งการขยายช่องสัญญาณสำหรับยูนิตเสาอากาศที่ใช้งาน MIMO ขนาดใหญ่
• โมดูลพลังงาน RF 4G LTE หลายผู้ให้บริการหลายแบนด์
• เครือข่ายส่วนตัวบรอดแบนด์และเครื่องขยายกำลังการสื่อสารไร้สายเชิงพาณิชย์

คำจำกัดความหมายเลขชิ้นส่วน

• BLM：ซีรีส์ MMIC กำลังรวม
• 10：เทคโนโลยี LDMOS รุ่นที่ 10
• D： การออกแบบช่องสัญญาณคู่
• 1822：ช่วงความถี่ 1800–2200 MHz
• คลาสไดรเวอร์กำลังสูง 61：60W+
• ABG：แผ่นกันความร้อน ตะกั่วปีกนก รุ่นมาตรฐานอุตสาหกรรม