BLM9D1822-30B LDMOS AMPLEON รุ่นที่ 9

รับราคาล่าสุด

สั่งขั้นต่ำ:

ติดต่อตอนนี้

คำอธิบายผลิตภัณฑ์

คุณสมบัติของผ�...

บรรจุภัณฑ์ และ...

คำอธิบายผลิตภ�...

คุณสมบัติของผ�...

หมายเลขรุ่น: BLM9D1822-30B BLM9D1822-30BZ

แบรนด์: แอมเพิล

บรรจุภัณฑ์ และ...

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

คำอธิบายผลิตภ�...

BLM9D1822-30BZ คือ LDMOS MMIC แบบ 2 ขั้นตอนของ LDMOS รุ่นที่ 9 จาก Ampleon (เนเธอร์แลนด์) ปรับให้เหมาะกับเซลล์ขนาดเล็ก 4G/5G, สเตจไดรเวอร์สถานีฐานมาโคร และการขยายสัญญาณ RF ทั่วไปในย่านความถี่ 1.8–2.2 GHz มีการบูรณาการสูง ประสิทธิภาพบรอดแบนด์ ประสิทธิภาพสูง และความเสถียร

ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญ

ผู้ผลิต: Ampleon (เนเธอร์แลนด์)
หมายเลขชิ้นส่วน: BLM9D1822-30BZ
ช่วงความถี่: 1800–2200 MHz
กำลังขับเฉลี่ย (PAVG): 30 W @ 28 V (โดเฮอร์ตี้)
กำลังขับอิ่มตัว(Psat): 39 W (ทั่วไป)
กำลังรับพลังงาน (GP): 28.5 dB (ทั่วไป)
แรงดันไฟเดรน (VDS) : 28 V
บรรจุภัณฑ์: PQFN20 (SOT1462-1)
เทคโนโลยี: LDMOS รุ่นที่ 9 (ซิลิคอน)
การใช้งาน: สเตจไดรเวอร์เซลล์ขนาดเล็ก/มาโคร 1.8–2.2 GHz, แอมพลิฟายเออร์ Doherty
สถานะ: อยู่ระหว่างการผลิต

คุณสมบัติ

Doherty แบบบูรณาการสูง: แอมพลิฟายเออร์ 2 สเตจ + ตัวแยกอินพุต + ตัวรวมเอาต์พุตในชิปตัวเดียว ทำให้การออกแบบง่ายขึ้น
การทำงานบรอดแบนด์: 1.8–2.2 GHz ครอบคลุมมัลติแบนด์ GSM/W‑CDMA/LTE/5G
อัตราขยายสูงและประสิทธิภาพ: อัตราขยาย 28.5 dB + ประสิทธิภาพสูงในการกำหนดค่า Doherty ช่วยลดการใช้พลังงาน
การให้น้ำหนักแบบอิสระ: แยกการควบคุมพาหะ/พีคไบแอสเพื่อความเป็นเส้นตรงและประสิทธิภาพที่เหมาะสมที่สุด
ความทนทานสูง: ทนทานต่อ VSWR ที่ไม่ตรงกันในระดับสูง การป้องกัน ESD ในตัวเพื่อความน่าเชื่อถือสูง
เอฟเฟกต์หน่วยความจำต่ำ: ประสิทธิภาพ DPD ที่ยอดเยี่ยมสำหรับสัญญาณมอดูเลตที่ซับซ้อน
50 Ω ที่ตรงกัน: อินพุต/เอาต์พุต 50 Ω เพื่อการรวมระบบที่ง่ายดาย
ประสิทธิภาพการระบายความร้อนที่เหนือกว่า: แพ็คเกจแผ่นสัมผัส PQFN ที่มีความต้านทานความร้อนต่ำและการกระจายความร้อนที่ดีเยี่ยม
เป็นไปตาม RoHS: เป็นมิตรกับสิ่งแวดล้อม สอดคล้องกับคำสั่ง EU RoHS

การใช้งาน

4G LTE และ 5G NR Small Cells: การขยายกำลังขั้นสุดท้ายสำหรับระบบไร้สายย่านความถี่ 1.8–2.2 GHz
ไดรเวอร์สถานีฐานมาโคร: ตัวขับกำลังสูงสำหรับทรานซิสเตอร์ LDMOS กำลังสูง
โครงสร้างพื้นฐานไร้สาย: สถานการณ์การขยาย RF แบบหลายผู้ให้บริการและหลายมาตรฐาน
แอมพลิฟายเออร์ Doherty: เหมาะสำหรับสถาปัตยกรรม Doherty PA ขนาดกะทัดรัดและประสิทธิภาพสูง

สินค้าร้อน