BLC9H10XS-350A มอสเฟต RF LDMOS 50V SOT1273

ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญ

• ช่วงความถี่: 617 เมกะเฮิร์ตซ์ ~ 960 เมกะเฮิร์ตซ์
• แรงดันไฟจ่ายเดรน (VDS)：48 V (ประเภท), VDS สูงสุด：105 V
• กำลังขับ：350 W (1 ผู้ให้บริการ W‑CDMA, PAR=9.6 dB)
• กำลังรับพลังงาน：18.9 dB (ประเภท)
• ประสิทธิภาพการระบายน้ำ：55.1 % (ประเภท)
• แพ็คเกจ：SOT1273-1 แพ็คเกจช่องหน้าแปลนแบบไม่มีหู (5 สาย)
• ความต้านทานความร้อน (ทางแยกไปยังเคส):0.32 K/W
• คุณสมบัติ：เอฟเฟกต์หน่วยความจำต่ำ, รองรับ DPD, การจับคู่อินพุตย่านความถี่กว้างในตัว, การป้องกัน ESD

คุณสมบัติที่สำคัญ

• เทคโนโลยี LDMOS รุ่นที่ 9 พร้อมสถาปัตยกรรม Doherty แบบอสมมาตรให้พลังงาน ประสิทธิภาพ และความเชิงเส้นสูง
• การครอบคลุมย่านความถี่กว้างย่อย 1GHz รองรับ 4G LTE, 5G NR, 3G W‑CDMA และสัญญาณ PAR สูงหลายมาตรฐานอื่นๆ
• การจับคู่อินพุตย่านความถี่กว้างในตัวช่วยลดความซับซ้อนของวงจรภายนอกและลดความซับซ้อนในการออกแบบ
• ความจุเอาต์พุตต่ำและเอฟเฟกต์หน่วยความจำต่ำทำให้มั่นใจได้ถึงประสิทธิภาพ DPD ที่ยอดเยี่ยมสำหรับสถานการณ์ที่มีผู้ให้บริการหลายรายที่ซับซ้อน
• ความต้านทานความร้อนต่ำให้การกระจายความร้อนที่เหนือกว่าและความเสถียรในการทำงานในระยะยาว
• การป้องกัน ESD ในตัวและการปฏิบัติตามข้อกำหนด RoHS ช่วยให้มั่นใจได้ถึงความน่าเชื่อถือสูง

การใช้งานทั่วไป

• เครื่องขยายสัญญาณขั้นสุดท้ายสำหรับสถานีฐานมาโคร 4G/5G RRU/AAU (617–960 MHz)
• เครื่องส่งสัญญาณกำลังสูงหลายพาหะย่อย 1GHz;
• เครือข่ายไร้สายส่วนตัว ความปลอดภัยสาธารณะ อุปกรณ์ RF กำลังสูงย่านความถี่ ISM

คำจำกัดความหมายเลขชิ้นส่วน

• BLC：ทรานซิสเตอร์ LDMOS ของสถานีฐานแบบไม่มีหน้าแปลนแบบไม่มีหน้าแปลน
• 9：กระบวนการ LDMOS รุ่นที่ 9
• H：เกรดพลังงานสูง / ประสิทธิภาพสูง
• แพลตฟอร์มความถี่ 10：617–960 MHz
• XS：โครงร่างโดเฮอร์ตี้แบบอสมมาตร
• กำลังไฟ 350：350 วัตต์
• ตอบ: รุ่นมาตรฐาน