BLC9G22LS-160VTZ มอสเฟต RF LDMOS

คุณสมบัติที่สำคัญ

• ประสิทธิภาพ RF: ทำงานที่ความถี่ 2000–2500MHz ให้กำลังเอาต์พุตทั่วไป 160W พร้อมอัตราขยาย ≥13dB แรงดันไฟฟ้าเดรน 65V เหมาะสำหรับการขยายสัญญาณแบบหลายผู้ให้บริการในย่านความถี่ 2.2GHz
• โครงสร้างและบรรจุภัณฑ์: เทคโนโลยี LDMOS ที่ใช้ซิลิคอน, แพ็คเกจ SOT1271-2 (โลหะช่องอากาศ 7 พิน) พร้อมการกระจายความร้อนที่ดีเยี่ยม เหมาะสำหรับการออกแบบที่มีความหนาแน่นของพลังงานสูง
• ความน่าเชื่อถือและการปฏิบัติตามข้อกำหนด: เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS ทนทานต่ออุณหภูมิหัวต่อสูงและโหลดที่ไม่ตรงกัน มีการป้องกัน ESD ในตัวเพื่อการทำงานที่มั่นคงในระยะยาว
• ความเข้ากันได้ของการออกแบบ: จับคู่ล่วงหน้าภายในเพื่อลดความซับซ้อนของการออกแบบวงจร รองรับโหมดคลื่นต่อเนื่อง (CW) และโหมดพัลส์ เข้ากันได้กับสถาปัตยกรรมเครื่องขยายสัญญาณเสียง RF ต่างๆ

การใช้งานทั่วไป

• เครื่องขยายกำลัง RF ของสถานีฐาน 4G/5G ในแถบความถี่ 2.2GHz
• โมดูลขยายกำลังสำหรับเครื่องส่งสัญญาณโทรทัศน์
• แหล่งที่มาของคลื่นความถี่วิทยุทางอุตสาหกรรม วิทยาศาสตร์ และการแพทย์ (ISM)
• โครงสร้างพื้นฐานการสื่อสารไร้สาย 2000–2500MHz