ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

DLC75B0R2BW501XT ตัวเก็บประจุ RF ESR ต่ำพิเศษ

0.2PF 1210 ±0.1% 500V ตัวเก็บประจุ RF ESR ต่ำพิเศษ DLC75B0R2BW501XT เป็นส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ประสิทธิภาพสูงที่ออกแบบมาสำหรับการใช้งานความถี่วิทยุ (RF) ขั้นสูง โดยมีความเสถียรเป็นพิเศษ การสูญเสียพลังงานน้อยที่สุด...

DLC75B0R1BW501XT ตัวเก็บประจุ RF ESR ต่ำพิเศษ

ตัวเก็บประจุ RF ESR ต่ำพิเศษ DLC75B0R1BW501XT เป็นส่วนประกอบประสิทธิภาพสูงที่ออกแบบมาสำหรับการใช้งานความถี่สูงที่ต้องการคุณลักษณะทางไฟฟ้าและความน่าเชื่อถือที่ยอดเยี่ยม ข้อได้เปรียบหลัก ได้แก่ ความต้านทานอนุกรมเทียบเท่าต่ำพิเศษ (ESR)...

ตัวเก็บประจุ RF แบบวงกว้าง ROSA/TOSA

0402BB(.040"x.020")0402BB104KW500 ตัวเก็บประจุ RF แบบวงกว้าง ตัวเก็บประจุซีรีส์นี้มีช่วงความถี่การทำงานที่กว้างเป็นพิเศษ โดยมีช่วงปกติตั้งแต่ 16 kHz (-3 dB) ถึง 50 GHz ให้การสูญเสียการแทรกโดยทั่วไปน้อยกว่า 1.2 dB ที่ 50 WVDC...

ตัวเก็บประจุ RF แบบวงกว้างพร้อมประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยม

01005BB(.010" x.005") ตัวเก็บประจุ RF แบบวงกว้าง ภาพรวมผลิตภัณฑ์ พัฒนาโดย Dalicap Technology Co., Ltd. ตัวเก็บประจุบรอดแบนด์ซีรีส์ BB มีจำหน่ายในขนาดเคสสี่ขนาด (นิ้ว): 01005, 0201, 0402 และ 0805 โดยมีค่าความจุ 10nF (103) และ 100nF (104)...

BLC9H10XS-350A มอสเฟต RF LDMOS 50V SOT1273

หมายเลขชิ้นส่วน：BLC9H10XS-350A ผู้ผลิต：แอมเพิน ประเภทอุปกรณ์：LDMOS รุ่นที่ 9, พาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ Doherty RF แบบอสมมาตร 350 W ปรับแต่งมาสำหรับเครื่องขยายสัญญาณขั้นสุดท้ายของสถานีฐานมาโคร 617–960 MHz sub-1GHz 4G/5G ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญ ช่วงความถี่:...

BLC9H10XS-500A มอสเฟต RF LDMOS 48V SOT1273-1

หมายเลขชิ้นส่วน：BLC9H10XS-500A ผู้ผลิต：แอมเพิน ประเภทอุปกรณ์：LDMOS รุ่นที่ 9, พาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ Doherty RF แบบอสมมาตร 500 W ปรับแต่งมาสำหรับเครื่องขยายสัญญาณขั้นสุดท้ายของสถานีฐานมาโคร 617–960 MHz sub-1GHz 4G/5G ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญ ช่วงความถี่:...

ตัวเก็บประจุเซรามิกพลังงาน RF สูง ค่า Q สูง

ตัวเก็บประจุเซรามิกกำลัง RF สูง DLC70 คุณสมบัติผลิตภัณฑ์: ค่า Q สูง, กระแส/แรงดันไฟฟ้า RF สูง, กำลัง RF สูง, ESR/ESL ต่ำ, สัญญาณรบกวนต่ำ การใช้งานผลิตภัณฑ์: เครื่องขยายกำลัง RF สูง, เครือข่ายตัวกรองกำลังสูง, การแยกสัญญาณเสาอากาศ ฯลฯ...