ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

BLF2425M9LS140 BLF2425M9LS140U RF MOSFET LDMOS

BLF2425M9LS140 เป็นทรานซิสเตอร์ LDMOS RF กำลังสูง 140 W ที่ผลิตโดย Ampleon โดยใช้กระบวนการ RF รุ่น M9 ขั้นสูง ได้รับการออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับการใช้งานคลื่นต่อเนื่อง (CW) กำลังสูงใน 2400–2500 MHz (ย่านความถี่ 2.45 GHz ISM)...

BLM9D2327-26BZ เพาเวอร์แอมป์ RF

BLM9D2327-26B LDMOS MMIC แบบรวม 2 ขั้นตอนของ Doherty รุ่น: BLM9D2327-26BZ ผู้ผลิต: แอมเพิล ประเภทผลิตภัณฑ์: พาวเวอร์แอมพลิฟายเออร์ 28V LDMOS เจนเนอเรชั่น 9 2-stage Asymmetric Doherty MMIC RF Power Amplifier แบบบูรณาการอย่างสมบูรณ์...

ทรานซิสเตอร์ RF MOSFET BLM9D2327S-50PBG

BLM9D2327S-50PBG LDMOS 2 ขั้นตอนแบบบูรณาการ Doherty MMIC รุ่น: BLM9D2327S-50PBG ผู้ผลิต: แอมเพิล ประเภทผลิตภัณฑ์: เครื่องขยายสัญญาณเสียง MMIC MMIC แบบอสมมาตรแบบ 28V แบบ 2 สเตจแบบ 28V รุ่นที่ 9 รุ่นที่ 9 ปรับให้เหมาะสมสำหรับแบนด์ 2.3–2.7GHz (ครอบคลุม...

BLM10D2327-40ABZ เพาเวอร์แอมป์ RF

BLM10D2327-40AB LDMOS MMIC โดเฮอร์ตี้แบบรวม 2 ขั้นตอน รุ่น: BLM10D2327-40ABZ ผู้ผลิต: แอมเพิล ประเภทผลิตภัณฑ์: พาวเวอร์แอมพลิฟายเออร์ 28V LDMOS เจนเนอเรชั่นที่ 10 พาวเวอร์แอมพลิฟายเออร์ RF MMIC MMIC แบบอสมมาตรแบบ 2 สเตจที่ผสานรวมอย่างสมบูรณ์...

BLM7G1822S-40PBG RF FET LDMOS

BLM7G1822S-40PBG เป็น LDMOS 2-stage power MMIC BLM7G1822S-40PBG เป็นเครื่องขยายสัญญาณ MMIC กำลังสองส่วนแบบสองขั้นตอนที่ใช้เทคโนโลยี GEN7 LDMOS ของ Ampleon ซึ่งได้รับการปรับให้เหมาะกับสถานีฐาน 4G/5G คลื่นความถี่ 1805–2170MHz (1.8–2.17GHz)...

BLM9D1822S-60PBG MMIC โดเฮอร์ตี้แบบครบวงจร 2 ขั้นตอน

BLM9D1822S-60PBG LDMOS 2 ขั้นตอนแบบรวม Doherty MMIC BLM9D1822S-60PBG เป็นโซลูชัน Doherty MMIC แบบ 2 ขั้นตอนแบบสองส่วนที่มีการผสานรวมอย่างสมบูรณ์ โดยใช้เทคโนโลยี GEN9 LDMOS อันล้ำสมัยของ Ampleon สำหรับแต่ละส่วน อุปกรณ์พาหะและอุปกรณ์พีคกิ้ง...

ตัวเก็บประจุชั้นเดียวประสิทธิภาพสูง

ตัวเก็บประจุเซรามิกไมโครเวฟ RF กำลังสูง ตัวเก็บประจุชั้นเดียว มาตรฐานการดำเนินการ: GJB2442A-2021 "ข้อกำหนดทั่วไปสำหรับตัวเก็บประจุไดอิเล็กตริกเซรามิกชั้นเดียวที่มีระดับอัตราความล้มเหลว" ข้อกำหนดโดยละเอียด: Q/DLC20015-2019...

ตัวเก็บประจุบรอดแบนด์ความเร็วสูง

0402BB ตัวเก็บประจุเซรามิกไมโครเวฟ RF กำลังสูง 0805BB(.080" x.050")0805BB103KW101 ตัวเก็บประจุบรอดแบนด์ คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์ ช่วงความถี่การทำงานโดยทั่วไป: 160 kHz (-3dB) ถึง 3 GHz; การสูญเสียการแทรก: < 0.25 dB (ค่าทั่วไป): แรงดันไฟฟ้า...

ตัวเก็บประจุ RF แบบ Wideband ประสิทธิภาพสูง

0402BB เป็น ตัวเก็บประจุเซรามิกไมโครเวฟ RF กำลังสูง 0402BB(.040"x.020")0402BB103KW500 ตัวเก็บประจุ RF แบบวงกว้าง คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์ ช่วงความถี่การทำงานทั่วไป: 16KHz (-3dB) ถึง 40GHz: การสูญเสียการแทรก: < 1dB (ค่าทั่วไป): 50WVDC;...

ตัวเก็บประจุอิเล็กทริกเซรามิกพลังงานความถี่สูง

DLC70L คือ ตัวเก็บประจุเซรามิกไมโครเวฟ RF กำลังสูง DLC70Lตัวเก็บประจุไดอิเล็กทริกเซรามิกกำลังความถี่สูง โดดเด่นด้วยปัจจัย Q สูง, ESR และ ESL ต่ำ, สัญญาณรบกวนต่ำ และความน่าเชื่อถือสูง ผลิตภัณฑ์นี้สามารถทนต่อกระแส RF แรงดันไฟฟ้า และพลังงานสูง...

ตัวเก็บประจุ RF ESR ต่ำพิเศษ 500V DLC75B0R4BW501XT

DLC75B0R4BW501XT เป็นตัวเก็บประจุ RF / ไมโครเวฟ ESR ต่ำพิเศษ DLC75B0R4BW501XT เป็นตัวเก็บประจุ RF ESR ต่ำพิเศษ 500V ออกแบบมาสำหรับวงจร RF และความถี่สูงที่มีความต้องการสูง โดยนำเสนอเสถียรภาพ ความน่าเชื่อถือ และประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยม...

ตัวเก็บประจุ RF Wideband ประสิทธิภาพสูง

0201BB เป็น ตัวเก็บประจุเซรามิกไมโครเวฟย่านความถี่กว้าง 0201BB(.020"x.010")0201BB103KW250 ตัวเก็บประจุบรอดแบนด์ คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์ ช่วงความถี่การทำงานทั่วไป: 16KHz (-3cB) ถึง >32GHz การสูญเสียการแทรก: <1dB (ค่าทั่วไป): 25WVDC;...

ตัวเก็บประจุไดอิเล็กทริก ESR RF ต่ำพิเศษประสิทธิภาพสูง

DLC60H คือ ESR ต่ำมาก Q RF MLCC DLC6OH ตัวเก็บประจุไดอิเล็กทริกเซรามิก ESR ต่ำพิเศษ, RF/ไมโครเวฟ ตารางความจุ DLC6OH หมายเลขส่วนประกอบ ประเภทและขนาดปลาย DLC60H ออกแบบกล่องเครื่องมือ Dalykapp มีกล่องเครื่องมือดีไซน์ที่หลากหลาย...

ตัวเก็บประจุไดอิเล็กทริกเซรามิก ESR ต่ำพิเศษ RF/MW

DLC75D คือ ESR ต่ำมาก Q RF MLCC ตัวเก็บประจุไดอิเล็กทริกเซรามิก ESR ต่ำพิเศษ RF/MW DLC75D(0805) เพื่อให้บรรลุประสิทธิภาพ RF และไมโครเวฟขั้นสูงสุด ตัวเก็บประจุเซรามิก ESR ต่ำพิเศษ DLC75D คือคำตอบสุดท้ายของคุณ ด้วยความต้านทานซีรีส์เทียบเท่า (ESR)...

ตัวเก็บประจุเซรามิก RF ESR ต่ำพิเศษสำหรับการใช้งานไมโครเวฟ

DLC75H คือ ESR Q RF MLCC ต่ำพิเศษ ตัวเก็บประจุไดอิเล็กตริกเซรามิก ESR, RF/ไมโครเวฟ ต่ำเป็นพิเศษ DLC75P(0603) ออกแบบมาเพื่อ ESR ต่ำพิเศษ ตัวเก็บประจุเซรามิก DLC75P RF/ไมโครเวฟ มอบประสิทธิภาพที่เหนือชั้นในวงจรความถี่สูง ปัจจัย Q สูง...

ตัวเก็บประจุไดอิเล็กตริกเซรามิก ESR, RF/ไมโครเวฟ ต่ำเป็นพิเศษ

DLC75H คือ ESR Q RF MLCC ต่ำพิเศษ DLC75H ตัวเก็บประจุไดอิเล็กตริกเซรามิก ESR ต่ำพิเศษ, RF/ไมโครเวฟ DLC75H(0402) DLC75H เป็นตัวเก็บประจุเซรามิก ESR RF/ไมโครเวฟที่ต่ำเป็นพิเศษ สร้างขึ้นเพื่อประสิทธิภาพสูงสุด ด้วยค่า Q สูง การจัดการกระแส RF...

ตัวเก็บประจุไดอิเล็กตริกเซรามิก ESR, RF/ไมโครเวฟ ต่ำเป็นพิเศษ

DLC75N คือ MLCC RF Q RF สูง ESR ต่ำพิเศษ DLC75N ตัวเก็บประจุไดอิเล็กตริกเซรามิก ESR ต่ำพิเศษ, RF/ไมโครเวฟ DLC75N(0201) ตารางความจุ DLC75N หมายเลขส่วนประกอบ ชนิดและขนาดของฝาปิดท้าย DLC75N ประสิทธิภาพทางไฟฟ้า การทดลองด้านสิ่งแวดล้อม...

ESR ต่ำพิเศษ ตัวเก็บประจุอิเล็กทริกเซรามิกไมโครเวฟ

DLC75 คือ ESR ต่ำมาก Q RF MLCC ตัวเก็บประจุไดอิเล็กตริกเซรามิกไมโครเวฟ ESR ต่ำพิเศษซีรีส์ DLC75 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์ ค่า ESR ต่ำเป็นพิเศษ, แรงดันไฟฟ้าสูง, กำลัง FF สูง, ความถี่เรโซแนนซ์ในตัวสูง การใช้งานผลิตภัณฑ์ การใช้งานวงจร:...

B11G2327N71DYZ มอสเฟต RF LDMOS

B11G2327N71D คือ LDMOS 2 ขั้นตอนแบบรวม Doherty MMIC รุ่น: B11G2327N71DYZ (รุ่นพื้นฐาน: B11G2327N71D) ผู้ผลิต: แอมเพิล ประเภทผลิตภัณฑ์: LDMOS 2-Stage Integrated Doherty Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) Power Amplifier...

BLM10D1822-60ABGZ มอสเฟต RF LDMOS

BLM10D1822-60ABG LDMOS 2 ขั้นตอนแบบรวม Doherty MMIC BLM10D1822-60ABGZ เป็น Doherty MMIC แบบสองขั้นตอนของ LDMOS รุ่นที่ 10 ที่ผสานรวมอย่างสมบูรณ์โดย Ampleon ซึ่งทำงานที่ 1800~2200 MHz ปรับให้เหมาะสมสำหรับสถานีฐานมาโคร 4G/5G และระยะสุดท้าย/ไดรเวอร์...

C4H24F550AVZ ทรานซิสเตอร์พลังงาน RF แกลเลียมไนไตรด์

C4H24F550AVZ GaN เพาเวอร์ทรานซิสเตอร์ รุ่น: C4H24F550AV (หมายเลขชิ้นส่วนทั้งหมด: C4H24F550AVY) ผู้ผลิต: แอมเพิล ประเภทผลิตภัณฑ์: ทรานซิสเตอร์พลังงาน RF แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) (สถาปัตยกรรมโดเฮอร์ตีแบบอสมมาตร) ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญ...

BLP15H9S100Z BLP15H9S100 แอมเพิล LDMOS

BLP15H9S100Z พาวเวอร์ LDMOS ทรานซิสเตอร์ พาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ RF LDMOS ย่านความถี่กว้างพิเศษ Ampleon 100W ดั้งเดิม ช่วงความถี่: 10kHz ถึง 2GHz, ครอบคลุมย่านความถี่เต็มรูปแบบตั้งแต่ HF ถึง UHFAmpleon แรงดันไฟฟ้า: 50V...

ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียวชนิดหลายขั้วไฟฟ้า

SP series ตัวเก็บประจุเซรามิกชั้นเดียวชนิดหลายขั้วไฟฟ้า การประยุกต์ใช้ผลิตภัณฑ์ ใช้กับเครือข่ายที่ตรงกัน วงจรเรโซแนนซ์แบบขนาน และการปรับและการเชื่อมต่อตัวสะท้อนไดอิเล็กทริกที่ความถี่วิทยุ/ความถี่ไมโครเวฟ คุณสมบัติตัวเก็บประจุแบบชั้นเดียว...

BLM9D1920-08AMZ โดเฮอร์ตี้ LDMOS MMIC

MMIC โดเฮอร์ตี้ 2 สเตจ ช่วงความถี่ 1880to2025 เมกะเฮิร์ตซ์ กำลังขับเฉลี่ย 8w รับแรงดันไฟฟ้า 26.8 Db 28 V 1. ภาพรวมผลิตภัณฑ์ หมายเลขชิ้นส่วน：BLM9D1920-08AMZ ผู้ผลิต：แอมเพิน ประเภทอุปกรณ์：LDMOS GEN9 รุ่นที่ 9, เพาเวอร์แอมป์ Doherty MMIC แบบ 2...