ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

BLA9H0912L-250G ทรานซิสเตอร์กำลังระบบ Avionics ของ LDMOS

I. ภาพรวมผลิตภัณฑ์ BLA9H0912L-250G เป็นพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ RF LDMOS ประสิทธิภาพสูงจาก Ampleon ออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับย่านความถี่ Avionics 960MHz~1215MHz โดยให้กำลังเอาท์พุตทั่วไปที่ 250W พร้อมประสิทธิภาพสูง ความทนทานเป็นเลิศ...

100B102JW500XT 1000pf 1210 ±5% 500v

I. ภาพรวมผลิตภัณฑ์ 100B102JW500XT เป็นตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น RF/ไมโครเวฟ (MLCC) ประสิทธิภาพสูงจาก 100B Series Porcelain Superchip® โดย KYOCERA AVX (เดิมชื่อ American Technical Ceramics, ATC) โดดเด่นด้วยไดอิเล็กตริก P90 ที่มี Q-factor สูง, ESR...

100A2R0BW150XT 2pf 0505 ±0.1% 150V

I. ภาพรวมผลิตภัณฑ์ 100A2R0BW150XT เป็นตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น RF/ไมโครเวฟ (MLCC) ประสิทธิภาพสูงจาก 100A Series Porcelain Superchip® โดย KYOCERA AVX (เดิมชื่อ American Technical Ceramics, ATC) โดดเด่นด้วยไดอิเล็กตริก P90 ที่มี Q-factor สูง, ESR...

100A240JW150XT 24pf 0505 5% 150V

หมายเลขชิ้นส่วน: 100A240JW150XT ผู้ผลิต: American Technical Ceramics (ATC) ซึ่งเป็นบริษัทในเครือ KYOCERA AVX ประเภทผลิตภัณฑ์: Q สูง, ESR ต่ำ, P90 ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ RF และตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นไมโครเวฟ (MLCC), ATC 100A Series Superchip®...

600S3R0BW250XT 3.0pf 0603 ±0.1% 250V

หมายเลขชิ้นส่วน: 600S3R0BW250XT ผู้ผลิต: American Technical Ceramics (ATC) ซึ่งเป็นบริษัทในเครือ KYOCERA AVX ประเภทผลิตภัณฑ์: ESR ต่ำพิเศษ, Q สูง, C0G/NP0 RF และตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นไมโครเวฟ (MLCC) บรรจุภัณฑ์: อุปกรณ์ยึดพื้นผิว 0603 (1608...

3.3PF 0603 ±0.1% 250V

หมายเลขชิ้นส่วน: 600S3R3BT250XT ผู้ผลิต: American Technical Ceramics (ATC) ซึ่งเป็นบริษัทในเครือ KYOCERA AVX ประเภทผลิตภัณฑ์: ESR ต่ำพิเศษ, Q สูง, NPO/C0G RF และตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นไมโครเวฟ (MLCC) บรรจุภัณฑ์: อุปกรณ์ยึดพื้นผิว 0603 (1608...

ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้นไมโครเวฟ

ข้อมูลพื้นฐาน ผู้ผลิต: American Technical Ceramics (ATC) ซึ่งเป็นบริษัทในเครือ KYOCERA AVX ประเภทผลิตภัณฑ์: ESR ต่ำพิเศษ, Q สูง, NPO (C0G) ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้น RF และไมโครเวฟ (MLCC) ซีรีส์: ซีรีส์ 600S (ขนาดมาตรฐาน EIA 0603)...

BLF647P มอสเฟต RF LDMOS 32V LDMOST

BLF647P การแปลภาษาอังกฤษ BLF647P เป็นพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ RF LDMOS ย่านความถี่กว้าง 200 W ที่ผลิตโดย Ampleon (เดิมชื่อ NXP) ช่วงความถี่การทำงานครอบคลุม HF ถึง 1500 MHz ซึ่งส่วนใหญ่ออกแบบมาสำหรับการใช้งาน RF กำลังสูง รวมถึงการส่งสัญญาณกระจายเสียง...

อุปกรณ์พลังงานขั้นสูง LDMOS BLP15M9S70Z

หมายเลขชิ้นส่วน: Ampleon BLP15M9S70 ประเภทอุปกรณ์: ทรานซิสเตอร์พลังงาน RF LDMOS แบบ N-channel, เทคโนโลยีรุ่นที่ 9, การจ่ายไฟ 32V, บรอดแบนด์ (1MHz–2GHz) ปรับให้เหมาะสมสำหรับเครื่องขยายกำลัง RF ISM/การออกอากาศ/วัตถุประสงค์ทั่วไป 1....

3.6PF 0603 ±0.25pf 250V

หมายเลขชิ้นส่วน：600S3R6CT250XT ผู้ผลิต：American Technical Ceramics (ATC ปัจจุบันคือ KYOCERA AVX) หมวดหมู่：ESR ต่ำพิเศษ, Q สูง, NPO (C0G) ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น (MLCC) สำหรับ RF/ไมโครเวฟ ข้อมูลจำเพาะ ความจุไฟฟ้า: 3.6 pF ความคลาดเคลื่อน: ±0.25 pF...

ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้น RF high-Q

ข้อมูลพื้นฐาน ผู้ผลิต: ATC (American Technical Ceramics) ซึ่งเป็นแบรนด์ KYOCERA AVX ประเภทผลิตภัณฑ์: ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้น High-Q RF ซีรี่ส์: ซีรีย์ Superchip พอร์ซเลน 100A หมายเลขชิ้นส่วน: 100A5R1BW150XT คำอธิบายหมายเลขชิ้นส่วน 100A:...

BLC10G18XS-552AVT มอสเฟต RF LDMOS

BLC10G18XS-552AVT เป็นทรานซิสเตอร์ Power LDMOS BLC10G18XS-552AVT เป็นทรานซิสเตอร์พลังงาน Doherty แบบอสมมาตร LDMOS รุ่นที่ 10 จาก Ampleon (เนเธอร์แลนด์) ได้รับการปรับแต่งสำหรับเครื่องขยายสัญญาณเสียงขั้นสุดท้ายของสถานีฐานมาโคร 4G/5G ในย่านความถี่...

BLC10G22XS-600AVT มอสเฟต RF LDMOS

BLC10G22XS-600AVT เป็นทรานซิสเตอร์ Power LDMOS BLC10G22XS-600AVT เป็นทรานซิสเตอร์พาวเวอร์โดเฮอร์ตี้แบบอสมมาตร LDMOS รุ่นที่ 10 โดย Ampleon ซึ่งทำงานที่ 2110~2170 MHz ปรับให้เหมาะสมสำหรับสถานีฐานมาโคร 4G/5G และเครื่องขยายสัญญาณเสียงขั้นสุดท้าย mMIMO...

B10G2527N10DLZ มอสเฟต RF MMIC

MMIC โดเฮอร์ตี้ 2 ขั้นตอน B10G2527N10DL เป็นเครื่องขยายสัญญาณ Doherty MMIC แบบ 2 ขั้นที่บูรณาการอย่างสมบูรณ์ โดยใช้เทคโนโลยี LDMOS ล้ำสมัยของ Ampleon ซึ่งได้รับการปรับให้เหมาะกับสถานีฐานย่านความถี่กลางย่านความถี่ 2500–2700MHz (2.5–2.7GHz) 5G NR...

C4H2350N10Z ทรานซิสเตอร์พลังงาน RF แกลเลียมไนไตรด์

รุ่น: C4H2350N10Z (รุ่นพื้นฐาน: C4H2350N10) ผู้ผลิต: แอมเพิล ประเภทผลิตภัณฑ์: ทรานซิสเตอร์พลังงาน RF แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) (การออกแบบประตูเดียว ปรับให้เหมาะสมสำหรับการใช้งานบรอดแบนด์) ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญ คุณสมบัติและคุณประโยชน์...

C4H2327N55PZ มอสเฟต RF GAN

ทรานซิสเตอร์กำลัง GaN รุ่น: C4H2327N55Pz (รุ่นมาตรฐาน: C4H2327N55PZ) ผู้ผลิต: แอมเพิล ประเภทผลิตภัณฑ์: ทรานซิสเตอร์พลังงาน RF แบบบรรจุกล่องแกลเลียมไนไตรด์ (GaN) (ปรับให้เหมาะสมสำหรับการใช้งานสถานีฐานบรอดแบนด์ความถี่ 2.3–2.69 GHz)...

BLM9D2527-09AMZ ทรานซิสเตอร์ LDMOS กำลัง

MMIC โดเฮอร์ตี้ 2 สเตจ รุ่น: BLM9D2527-09AMZ (รุ่นมาตรฐาน: BLM9D2527-09AM, Z หมายถึงบรรจุภัณฑ์เทปและม้วน) ผู้ผลิต: แอมเพิล ประเภทผลิตภัณฑ์: พาวเวอร์แอมพลิฟายเออร์ RF Doherty MMIC RF 28V เจนเนอเรชั่น 9 รุ่นที่ 9...

BLM9D2324-08AMZ AMPLEON เครื่องขยายสัญญาณ RF

MMIC โดเฮอร์ตี้ 2 ขั้นตอน รุ่น: BLM9D2324-08AMZ (รุ่นมาตรฐาน: BLM9D2324-08AM, Z หมายถึงบรรจุภัณฑ์เทปและม้วน) ผู้ผลิต: แอมเพิล ประเภทผลิตภัณฑ์: พาวเวอร์แอมพลิฟายเออร์ RF Doherty MMIC RF 28V เจนเนอเรชั่น 9 รุ่นที่ 9...

เพาเวอร์แอมป์ RF B10G3336N16DL

B10G3336N16DL เป็น MMIC โดเฮอร์ตี้ 2 ระดับ รุ่น: B10G3336N16DL ผู้ผลิต: แอมเพิล ประเภทผลิตภัณฑ์: พาวเวอร์แอมพลิไฟเออร์ Doherty MMIC RF 28V รุ่นที่ 10 รุ่นที่ 10 ปรับแต่งเป็นพิเศษสำหรับย่านความถี่ 3.3–3.6GHz (ครอบคลุมย่านความถี่สูง 5G NR n77/n78)...

BLM9D3842-16AM BLM9D3842-16AMZ เครื่องขยายเสียง RF

BLM9D3842-16AM LDMOS MMIC แบบรวม 3 ขั้นตอนของ Doherty รุ่น: BLM9D3842-16AMZ ผู้ผลิต: แอมเพิล ประเภทผลิตภัณฑ์: พาวเวอร์แอมพลิฟายเออร์ Doherty MMIC RF แบบรวม 3 ขั้นตอน 28V รุ่นที่ 9 ปรับแต่งมาสำหรับแบนด์ 3.8–4.2GHz (ครอบคลุมแบนด์หลักความถี่สูง 5G NR...

BLM9D3740-16AM BLM9D3740-16AMZ เครื่องขยายเสียง RF

BLM9D3438-16AM LDMOS MMIC แบบรวม 3 ขั้นตอนของ Doherty รุ่น: BLM9D3740-16AM ผู้ผลิต: แอมเพิล ประเภทผลิตภัณฑ์: พาวเวอร์แอมพลิฟายเออร์ Doherty MMIC RF แบบรวม 3 ขั้นตอน 28V รุ่นที่ 9 ปรับแต่งมาสำหรับแบนด์ 3.7–4.0GHz (ครอบคลุมแบนด์หลักความถี่สูง 5G NR...

BLP05H9S500P มอสเฟต RF LDMOS

รุ่น: BLP05H9S500P ผู้ผลิต: แอมเพิล ประเภทผลิตภัณฑ์: ทรานซิสเตอร์กำลัง LDMOS แบบกด-ดึง ปรับให้เหมาะสมสำหรับย่านความถี่ ISM 423–443MHz (ความถี่หลักสำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม วิทยาศาสตร์ และการแพทย์ ครอบคลุมการสื่อสารไร้สายกระแสหลัก 433MHz...

BLC2425M9LS250 BLC2425M9LS250Z มอสเฟต RF LDMOS

BLC2425M9LS250 เป็นพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ RF LDMOS ขนาด 250 W ที่ผลิตโดย Ampleon ออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับการใช้งานคลื่นต่อเนื่อง (CW) กำลังสูงในย่านความถี่ 2400–2500 MHz (แถบ ISM 2.45 GHz) บรรจุในบรรจุภัณฑ์พลาสติกประสิทธิภาพสูง (SOT1270-1 / SOT539B)...

CLL3H0914LS-700U 700W GaN SiC HEMT

หมายเลขชิ้นส่วน：CLL3H0914LS-700U ผู้ผลิต：แอมเพิน ประเภทอุปกรณ์：L‑band, 700W GaN‑SiC HEMT (ทรานซิสเตอร์การเคลื่อนที่แบบอิเล็กตรอนสูงแกลเลียมไนไตรด์ซิลิคอนคาร์ไบด์), เครือข่ายที่จับคู่ล่วงหน้าภายใน + ความเสถียร, 0.9–1.4 GHz, แพ็คเกจหน้าแปลนแบบไม่มีหู,...