ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

BLC9G21LS-60AVZ มอสเฟต RF LDMOS

พาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ LDMOS BLC9G21LS-60AVZ เป็นพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ RF LDMOS แบบ N-channel แบบคู่ที่ใช้เทคโนโลยี Gen9 LDMOS ของ Ampleon ซึ่งได้รับการปรับให้เหมาะกับสถานีฐาน 4G/5G ที่ความถี่ 1805–2200MHz (1.8–2.2GHz) ระบบการสื่อสารแบบหลายผู้ให้บริการ...

ทรานซิสเตอร์ RF MOSFET BLC10G27XS-551AVT

พาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ LDMOS รุ่น: BLC10G27XS-551AVT ผู้ผลิต: แอมเพิล ประเภทผลิตภัณฑ์: ทรานซิสเตอร์พลังงานโดเฮอร์ตี้แบบแพ็คเกจไม่สมมาตร 28V LDMOS รุ่นที่ 10 ปรับให้เหมาะสมสำหรับแอปพลิเคชันการขยายกำลังขั้นสุดท้ายของสถานีฐานมาโครย่านความถี่ 2.62–2.69GHz...

BLC10G16XS-600AVT มอสเฟต RF LDMOS 32V

พลังงาน HF/VHF LDMOS หมายเลขชิ้นส่วน：BLC10G16XS-600AVT ผู้ผลิต：แอมเพิน ประเภทอุปกรณ์：LDMOS, ทรานซิสเตอร์กำลัง Doherty แบบอสมมาตร, 1.427–1.518 GHz, คลาส 600W โดยเฉพาะสำหรับการขยายสัญญาณ RF ขั้นสุดท้ายของสถานีฐานมาโครโดยเฉพาะ ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญ...

BLC10G18XS-360AVT มอสเฟต RF LDMOS

พาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ LDMOS BLC10G18XS-360AVT เป็นพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ RF แบบ Doherty LDMOS แบบอสมมาตรจาก Ampleon ซึ่งได้รับการปรับให้เหมาะกับสถานีฐานมาโคร 4G/5G ที่ความถี่ 1805–1880MHz (1.8GHz) และเครื่องขยายสัญญาณเสียงแบบหลายผู้ให้บริการ...

ทรานซิสเตอร์ RF MOSFET BLC10G27XS-400AVTZ

พาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ LDMOS รุ่น: BLC10G27XS-400AVT (รุ่นมาตรฐาน: BLC10G27XS-400AVTZ, บรรจุภัณฑ์แบบเทปและม้วน) ผู้ผลิต: แอมเพิล ประเภทผลิตภัณฑ์: ทรานซิสเตอร์กำลัง RF โดเฮอร์ตี้แบบอสมมาตรแบบแพ็กเกจ 28V LDMOS รุ่นที่ 9...

BLC10G19XS-600AVT มอสเฟต RF LDMOS

พลังงาน HF/VHF LDMOS BLC10G19XS-600AVT เป็นทรานซิสเตอร์พาวเวอร์โดเฮอร์ตี้แบบอสมมาตร LDMOS รุ่นที่ 10 โดย Ampleon ทำงานที่ 1930~1995 MHz ปรับให้เหมาะสมสำหรับสถานีฐานมาโคร 4G/5G และเครื่องขยายสัญญาณเสียงขั้นสุดท้าย mMIMO โดยให้กำลังสูงพิเศษ 600W...

BLC10G19XS-551AV มอสเฟต RF LDMOS

พลังงาน HF/VHF LDMOS BLC10G19XS-551AV เป็นพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ RF LDMOS ที่ใช้ซิลิคอนรุ่นที่ 10 ที่ผลิตโดย Ampleon (เนเธอร์แลนด์) ได้รับการปรับแต่งสำหรับเครื่องขยายสัญญาณเสียง Doherty แบบอสมมาตรในสถานีฐานมาโคร 4G LTE และ 5G NR ที่ทำงานที่ 1930–2000...

BLC10G22XS-602AVT มอสเฟต RF LDMOS 30V SOT1258

กำลัง VHF LDMOS BLC10G22XS-602AVT เป็นพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ RF LDMOS รุ่นที่ 10 ที่ผลิตโดย Ampleon (เนเธอร์แลนด์) ปรับให้เหมาะกับการใช้งานหลายผู้ให้บริการสถานีฐานมาโคร 4G LTE และ 5G NR ในแถบความถี่ 2110–2170 MHz (2.1 GHz) ให้กำลังสูง ประสิทธิภาพสูง...

BLC10G18XS-602AVT มอสเฟต RF LDMOS

พลังงาน HF/VHF LDMOS BLC10G18XS-602AVT เป็นพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ RF LDMOS ประสิทธิภาพสูงที่ผลิตโดย Ampleon ออกแบบมาเพื่อการใช้งานสถานีฐานมาโครในช่วงความถี่ 1805–1880 MHz (แถบความถี่ 1.8 GHz) ให้พลังงานสูงสุดสูง อัตราขยายสูง และประสิทธิภาพสูง...

BLC10G22XS-400AVT ทรานซิสเตอร์ LDMOS กำลังไฟ

พาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ LDMOS BLC10G22XS-400AVT เป็นพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ Doherty LDMOS แบบอสมมาตรจาก Ampleon ซึ่งได้รับการปรับให้เหมาะกับสถานีฐานมาโคร 4G/5G คลื่นความถี่ 2110–2200MHz (2.2GHz) และเครื่องขยายสัญญาณเสียง RF แบบหลายผู้ให้บริการ...

BLC10G22XS-603AVT มอสเฟต RF LDMOS 30V

พลังงาน HF/VHF LDMOS หมายเลขชิ้นส่วน：BLC10G22XS-603AVT (คำต่อท้าย Z/Y: BLC10G22XS-603AVTY) ผู้ผลิต：แอมเพิน ประเภทอุปกรณ์：LDMOS, ทรานซิสเตอร์กำลัง Doherty แบบอสมมาตร, 2.11–2.17 GHz, กำลังสูงสุด 600 W ออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับการขยายสัญญาณ RF...

BLF974P BLF974PU LDMOS กำลังสูง

BLF974P, Ampleon, ทรานซิสเตอร์พลังงาน RF LDMOS บรอดแบนด์ 500W HF/VHF, เทคโนโลยี LDMOS ขั้นสูง 50V, การครอบคลุมความถี่กว้างพิเศษ 10kHz-700MHz, ส่วนประกอบกำลังสูงเฉพาะสำหรับการออกอากาศ/อุตสาหกรรม/วิทยาศาสตร์/การแพทย์ (ISM), เครื่องขยายสัญญาณเสียง RF...

BLP9H10-30G มอสเฟต RF LDMOS

หมายเลขชิ้นส่วน：BLP9H10-30G ผู้ผลิต：แอมเพิน ประเภทอุปกรณ์：พาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ RF LDMOS 50V รุ่นที่ 9, 30W, แพ็คเกจพลาสติก ปรับให้เหมาะสมสำหรับไดรเวอร์สถานีฐาน 4G/3G/2G ต่ำกว่า 1GHz หรือเครื่องขยายสัญญาณขั้นสุดท้ายที่ใช้พลังงานต่ำ...

BLC10G22XS-301AVT มอสเฟต RF LDMOS DFM6

คำอธิบายทั่วไป BLC10G22XS-301AVT เป็นทรานซิสเตอร์ Doherty LDMOS แบบอสมมาตร 300W P1dB จากกระบวนการรุ่นที่ 10 (GEN10) ของ Ampleon ซึ่งทำงานที่ 2110–2170MHz (5G n1/n66, 4G B1/B66) ตั้งอยู่ในแพ็คเกจเสริมการระบายความร้อน SOT1275-1...

GaN HEMT CLL3H0914L-700U AlGaN

หมายเลขชิ้นส่วน：CLL3H0914L-700 ผู้ผลิต：แอมเพิน ประเภทอุปกรณ์：L‑band, 700W GaN‑SiC HEMT (ทรานซิสเตอร์การเคลื่อนที่อิเล็กตรอนสูงแกลเลียมไนไตรด์ซิลิคอนคาร์ไบด์) จับคู่ล่วงหน้าภายใน 0.9–1.4 GHz, พัลส์เรดาร์ /...

BLF188XR มอสเฟต RF LDMOS 50V CDFM4

ผลิตภัณฑ์การใช้งาน BLF188XR BLF188XR เป็นพาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ RF LDMOS 1400W ที่ผลิตโดย Ampleon (เดิมชื่อ NXP) ซึ่งทำงานในช่วงความถี่ HF ~ 600 MHz ส่วนใหญ่จะใช้กับเครื่องขยายกำลัง RF กำลังสูงสำหรับการส่งสัญญาณกระจายเสียง อุตสาหกรรม วิทยาศาสตร์...

BLM9D1822-30B LDMOS AMPLEON รุ่นที่ 9

BLM9D1822-30BZ คือ LDMOS MMIC แบบ 2 ขั้นตอนของ LDMOS รุ่นที่ 9 จาก Ampleon (เนเธอร์แลนด์) ปรับให้เหมาะกับเซลล์ขนาดเล็ก 4G/5G, สเตจไดรเวอร์สถานีฐานมาโคร และการขยายสัญญาณ RF ทั่วไปในย่านความถี่ 1.8–2.2 GHz มีการบูรณาการสูง ประสิทธิภาพบรอดแบนด์...

BLM8G0710S-15PB MMIC กำลังสองส่วน 2 ระดับ

หมายเลขชิ้นส่วน：BLM8G0710S-15PB ผู้ผลิต：แอมเพิน ประเภทอุปกรณ์：LDMOS รุ่นที่ 8, MMIC กำลัง 2 สเตจ / สองส่วน, 700–1000 MHz ย่อย 1GHz, ไดรเวอร์เอนกประสงค์ระดับ 15W / แอมพลิฟายเออร์ขั้นสุดท้ายแบบเซลล์ขนาดเล็ก ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญ (Tcase=25°C, VDS=28V,...

B11G1822N60DXZ แอมเพิล MMIC LDMOS

หมายเลขชิ้นส่วน：B11G1822N60D ผู้ผลิต：แอมเพิน ประเภทอุปกรณ์：LDMOS, Doherty MMIC แบบ 2 ขั้นตอนแบบสองส่วนแบบครบวงจร, 1.8–2.2 GHz, กำลังเชิงเส้น 60 W, สถานีฐานมาโคร / แอมพลิฟายเออร์ไดรเวอร์อเนกประสงค์ 5G mMIMOAmpleon ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญ (Tcase=25°C,...

C4H18W500A มอสเฟต RF 48V SOT1273

หมายเลขชิ้นส่วน：C4H18W500A ผู้ผลิต：แอมเพิน ประเภทอุปกรณ์：แกลเลียมไนไตรด์ (GaN) HEMT, ทรานซิสเตอร์กำลัง RF โดเฮอร์ตี้แบบอสมมาตร 48V การประยุกต์ใช้：เครื่องขยายกำลังขั้นสุดท้ายสำหรับสถานีฐานมาโคร 4G / 5G AAU & RRU, 1800~2000 MHz...

BLC10G15XS-301AVT มอสเฟต RF LDMOS 30V

หมายเลขชิ้นส่วน：BLC10G15XS-301AVT ผู้ผลิต：แอมเพิน ประเภทอุปกรณ์：LDMOS รุ่นที่ 10, พาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ RF แบบอสมมาตร Doherty 30V ย่านความถี่：1452~1492 MHz (ย่านความถี่ 5G n5 / 4G B5) การใช้งาน：เครื่องขยายกำลังขั้นสุดท้ายสำหรับสถานีฐานมาโคร 4G/5G AAU...

BLC9H10XS-606AZ มอสเฟต RF LDMOS 48V

หมายเลขชิ้นส่วน : BLC9H10XS-606A ผู้ผลิต : แอมเพิล ประเภทอุปกรณ์ : พาวเวอร์ทรานซิสเตอร์ RF 48V LDMOS รุ่นที่ 9 การออกแบบ Doherty แบบอสมมาตรพร้อมการจับคู่อินพุตในตัว ปรับแต่งเป็นพิเศษสำหรับเครื่องขยายสัญญาณเสียงขั้นสุดท้ายของสถานีฐาน 4G/5G...

ART1K9FH ART1K9FHU ทรานซิสเตอร์ RF LDMOS กำลังสูงสุด

ART1K9FHU คือทรานซิสเตอร์ LDMOS RF กำลังสูงสุด 1900 W ที่ผลิตโดย Ampleon โดยใช้เทคโนโลยี Advanced Rugged (ART) ได้รับการออกแบบมาเป็นพิเศษสำหรับ 1 MHz–500 MHz (ความถี่ต่ำถึงแบนด์ VHF) ISM แอปพลิเคชันการออกอากาศและการสื่อสาร...

BLF989E ทรานซิสเตอร์ MOSFET ความถี่วิทยุ

BLF989E คือทรานซิสเตอร์ LDMOS RF กำลังสูงสุด 1000 W ที่ผลิตโดย Ampleon โดยนำเทคโนโลยีกระบวนการ LDMOS แรงดันสูง (50V) รุ่นที่ 9 มาใช้ ออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับแอปพลิเคชันเครื่องส่งสัญญาณ Doherty กระจายเสียงแบบอสมมาตรความถี่ 400–860 MHz (แถบ UHF)...